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看了TI网站能看到的所有资料，没看到具体说明。麻烦高手解答一下疑问，谢谢。
1.A端是否电压一定比B端低；
2.A端是否一定高要求OC/OD输出，另是否需要上拉电阻；
3.150欧电阻是否是推荐值，实际使用可调整，仅影响上升时间及驱动能力；
4.VREF和VBIS是否在A/B两侧任意一侧都行；
5.VREF的设置与A端电平有何联系；
6.VDDREF是否一定要求要大于VREF + 1V，从手册来看有这一点，但也有VREF+0.6V~5V的描述；
7.如何实现双向驱动的，有没有大致的原理分析。
Kailyn Chen：
1. 这个温和您的第4 问是一样的，A 端和B端哪边做Vref 都可以，只是需要记住Vref 要小于等于Vbias-1V。
2.没有必须OD或OC输出。您可以看您附上的例子，A port直接接的CPU端，A1 作为Vref。
3.是推荐值， 使用时也建议为150ohm， Vbias为200Kohm。
4. 同1.
5. Vref的设置即为A端的钳位电平，比如您想实现3.3V到5V电平转换，那么Vref 即为3.3V。
6. 是的， datasheet上最小推荐的是大于Vref+0.6V， 0.6 V即为MOS 导通压降，一般是至少大于1V。
7.简单来说，当电压从高到低转换的时候，MOS导通，电压钳位在Vref端，当电压由低到高转换的时候， MOS 关闭，高端电压就由上拉VDPU决定。
wei gao：
回复 Kailyn Chen:
7.此处的高到低，是高端到低端转换？此时，MOS为何导通呢，其满足了什么条件，是仅在高电平导通还是所有时间都导通呢。
另外，芯片的GND是何作用，但从MOS考虑，GND应该是不需要的，反正信号电源都参考信号地。
对此结构的MOS不太了解，原理图分析就总绕不过去，希望可以详细解释一番。
