TI中文支持网你好，最近用OMAP-L137_FlashAndBootUtils_2_40中的NORwriter的程序，修改了程序中device.c文件中的部分内容，将PINMUX控制的emifa_D的高八位的引脚复用模式进行了修改，使EMA_D的数据位改为16位。将AISgen产生的BIN文件烧写到nor flash中时，开始能正确烧写，但是烧写到某段代码时，就不能将数据烧写到FLASH中，烧写失败。
我的用的芯片是DSP6747，rom版本为d800k005。
问题：
1、是什么原因导致的，前边能烧写成功，后边就写不进去数据了。并且不同的bin文件开始出错的地方的AIS代码是一样的。
2、因为我的程序中，有对DSP各个外设进行初始化的部分，在用AIS产生bin文件时，能否不对各个寄存器进行设置。
3、norwriter工程中有对寄存器进行设置，AIS产生bin文件时，也有对寄存器的设置，并且要烧写的程序中也有寄存器的设置，那么这三处的寄存器设置都是什么时候起作用，三处设置的寄存器内容是否必须要一样。
4、连接NOR flash的地址线的flash_A[14:21]为是连接在GPI4[0:7]上的，那么烧写bin文件时对NOR flash的寻址空间是多少？需要如何设置才能使GPI4[0:7]复用为地址线来对NOR flash寻址。
附件为我的原理图。软件为CCS3.3.83版本
谢谢。
noaming：
第一个问题，我觉得是程序健壮性的问题。能否在出错位置设置几个断点，仔细观察一下。
noaming：
第二个问题，首先AIS产生bin文件时对寄存器的设置，对你烧写FLASH是不存在影响的。仅在BIN文件执行时候才会去使用这些配置。
noaming：
第三个，三处的寄存器设置起到的作用是不同的，比如烧写时候的配置，是为了烧写做初始化工作以便烧写能够正常进行。而bin文件中的配置，是在芯片自启动时候bootloader中起作用的。因此，他们并不冲突。
noaming：
第四个问题，对FLASH的寻址能力，要看他的地址线和位宽，烧写bin文件时候，如果需要使用到扩展地址，一样可以利用扩展地址的寻址空间。要使用你所设计中的扩展地址，一般来说，就是在读写flash时候，事前将扩展地址上的数据置位一定的值，然后余下的地址由控制器发出，此时组合成你想要的寻址空间地址。
