使用sfh_OMAP-L138烧写NAND flash咨询

请问使用sfh_OMAP-L138为C6748的nandflash烧写ubl和bin时，是不是默认ubl烧写在block 0 page 0，bin烧写在 block 6 page 0？这两个位置能否根据需要进行修改？

Shine：

ubl烧写到block0, bin烧写到0x10000地址，不需要修改。