情况一. 使用AISgenD800K008软件,读取c6748AISgen_456M_config.cfg,然后将stareware工程编译成 .out —> .ais,使用CCS软件烧写至nand block1中,系统正常完全启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为6ms,采用的是EMIFA接口;
情况二. 使用AISgenD800K008软件,读取c6748AISgen_456M_config.cfg,然后将sysbios工程编译成 .out —> .ais,使用CCS软件烧写至nand block1中,系统正常完全启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为1.5ms,采用的是EMIFA接口;
问题为: 同样的nand驱动代码与读写nand操作接口,在stareware 与sysbios下,系统正常启动完成,读写nandflash 1 页花费的时间相差4倍;
1. AISgenD800K008软件,读取c6748AISgen_456M_config.cfg
2. PLL0 PLL1 寄存器数值如下:
Shine:
记得您之前问过类似的问题,starterware的例程在debug模式下就可以达到1.5ms,感觉这个问题和是不是用sys/bios系统没有什么关系。
user4838224:
回复 Shine:
你好,之前描述的看的并不是真实的,真实的情况如下:
具体的程序为 boot+app ,q其中boot为stareware ,app为sysbios;两者中的nand驱动与读写nand的接口是一致;
NANDFLASH读写问题:
情况一. 烧录
使用AISgenD800K008软件,读取c6748AISgen_456M_config.cfg,然后将boot的stareware工程编译成 .out —> .ais,烧写至nand中,系统正常启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为6ms;情况二. debug
前提条件是:boot+app,依次都完全启动后;
1.使用boot的stareware工程debug 模式,使用Tronlong_C6748.gel;系统正常启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为1.5ms;2.使用boot的stareware工程debug 模式,不使用Tronlong_C6748.gel;系统正常启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为1.5ms;情况三 debug
前提条件是:boot+app,在boot刚刚开始启动过程中,
1.使用boot的stareware工程debug 模式,使用Tronlong_C6748.gel;系统正常启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为6ms;2.使用boot的stareware工程debug 模式,不使用Tronlong_C6748.gel;系统正常启动后,读写nandflash 1 页花费的时间为6ms;
所以,从现象上看,Tronlong_C6748.gel并没有起作用;
user4838224:
回复 Shine:
针对这个问题,Shine Zhang能否给点指导性的意见。