C6713读写flash-TI中文支持网

你好，

我需要在flash里面存储数据，但目前无法正确写flash，flash挂在CE1。DSP core时钟是200M，EMIF工作在40M，能正确读写SDRAM，CE1配置如下，配置的保持时间，建立时间和读写脉冲宽度均满足flash芯片的要求。请问可能是什么原因？

EMIF_FMKS(CECTL, WRSETUP, OF(4)) |

EMIF_FMKS(CECTL, WRSTRB, OF(3)) |

EMIF_FMKS(CECTL, WRHLD, OF(3)) |

EMIF_FMKS(CECTL, RDSETUP, OF(4)) |

EMIF_FMKS(CECTL, TA, OF(2)) |

EMIF_FMKS(CECTL, RDSTRB, OF(3)) |

EMIF_FMKS(CECTL, MTYPE, ASYNC16) |

EMIF_FMKS(CECTL, RDHLD, OF(3)),

void Flash_Writes(Uint32 addr,Uint16 data)

{

//Uint16 TempData=0;

*FLASH_555 = FLASH_UL1;

PLLdelay(1000);

*FLASH_2AA = FLASH_UL2;

PLLdelay(1000);

*FLASH_555 = FLASH_PROGRAM;

PLLdelay(1000);

//for(;;)

//{

*(Uint16 *)addr = data;

//TempData = *(Uint16 *)(addr);

//}

//TempData = *(Uint16 *)(addr);

while(*(Uint16 *)addr != data);//卡在此处

}

static void PLLdelay(int Count)

{

volatile int i = Count;

while(i–);

}

Shine：

请问可以擦除flash吗？看一下是否能擦成0xFFFF?

user6321166：

回复 Shine:

读取出来的数据是0xffff，通过memory看到的也是0xffff。因为赛普拉斯的flash出厂前已经进行了擦除，所以现在读出来的0xffff不能确定是我自己擦除成功还是失败。从我无法写flash来看，感觉我并没有擦除成功

Shine：

回复 user6321166:

可以先clear再erase来判断是否能擦除成功。您看一下flash手册，一般flash烧写需要经过clear(全部为0)->erase(全部0xffff)->program三个命令。

如果erase成功，program不正确，可以测量一下program时序是否符合flash手册里的program命令要求。另外，试试加长每次program之间的wait时间。

user6321166：

回复 Shine:

我这款flash没有clear功能，该功能包含在erase面里：执行erase之前，芯片自动执行clear把所以数据写成0，然后再执行erase。用示波器监测波形，发现DSP地址线输出的地址与代码中指定的地址不一致，DSP数据线输出的数据与指定的一致。
写入代码如下。flash宽度为16位，EMIF的setup，strobe和hold分别为4,3,3，EMIF时钟为40M，HD12为高，HD8为高。
while(1)
{*(Uint16*)0x9000055e=0xaaaa;*(Uint16*)0x90000aae=0x5555;*(Uint16*)0x9000055e=0xaaaa;delay(1000);//自定义延迟
}
理论上DSP地址线A2输出数据依次为0-0-0，监测到的A2数据为1-1-1；A3理论输出数据依次为1-1-1，监测到的A3数据为1-1-1；A4理论输出数据依次为1-1-1，监测到的A4数据为1-1-1；A5理论输出数据依次为1-1-1，监测到的A5数据为1-0-1。如果你需要看波形图，请给我您的邮箱，这里无法回复图片