TI中文支持网现正在调试NAND FLASH，型号（MT29F2G08ABBEA3W),
首先配置了EMIF16的一些参数比如sstrobe,wrsetup等，还有一个关于wait0polality,wait1polality不知具体是何意义？？
配置完了之后，按照文档上所说的操作，先向flash写入reset指令（0xFF），然后等R/B置1，为啥R/B一直为0？？？？
既然我这样我就先把这部分注释掉，不等R/B信号，然后读ID不对，擦除也不对，难道我的操作顺序不对吗？？？
感谢大牛们帮忙看下，小弟感激不尽！1谢谢。
King Wang1：
去看例子程序，没有这么复杂的操作。配置好EMIF16后，直接地址访问就行了。
user1746900：
回复 King Wang1:
谢谢您的回答！
我是看着例子程序编的，NAND Flash访问没那么简单吧，我现在配置完EMIF16后，写读ID命令能读出正确的数，但是擦除，读写好像不对，因为nandflash没法直接地址查看，所以我也看不出哪一步不对现象是擦完了，写数，然后读出来，结果和写进去的不一样，无论写什么，读出来都是30.
King Wang1：
回复 user1746900:
不好意思，我看错了，以为是NOR Flash的访问。
NAND的访问时按照NAND手册里面来的，你先看看你的NAND状态块信息能不能读出来，比如说size，page， block等信息，这些操作成功了在去尝试擦除和读写操作。
user1746900：
回复 King Wang1:
我用的NAND是MT29F2G08ABBEA3W，属于ONFI，所以可以读出状态信息，size,page，都和文档是一样的，读出的ID号manID一样，但deviceID却和文档不同，我也不知道为啥？您说的上面的操作算是成功了，但是擦的时候，写完命令，后读状态，一直都是60，按理说擦除的时候是一个值，擦完的时候又是一个值吧，那这种情况我也不知道是属于在处理什么，文档也没说各个状态是什么数值。
另外，我就当其擦完了，然后我就直接写读，发现一个有趣的问题：我最初把r_strobe设成默认最大,0x3F，结果无论写什么，读出来的结果都是前28个字节为0，其余为FF，接着我把r_strobe调小，改成0x20，结果读出来值都为0x30。
我都纳闷了，怎么会这样呢，如果我时序设的不对，或者配置配的不对，为啥能读出状态块信息，擦读写却不行呢？？而且我都不确定读出来的数都是啥玩意，迷惑迷惑。
King Wang1：
回复 user1746900:
能否上电后先执行NAND RESET命令，保证RESET命令成功后再去执行其他的操作。（得到信号返回1）（如果没有返回1， 查看CLE位是否设置正确）
另外，对于strobe，setup和hold时间的配置，可先按照最大的时间去设置。看看这样操作能成功不？
user1746900：
回复 King Wang1:
后来我把strobe，setup和hold时间的配成最大值，然后执行了NAND RESET命令，你说的信号返回时指读status的状态还是R/B#的值？
我现在的情况，将R/B#那条线拉出来用示波器量，然后写命令的时候会有低电平出现，表示确实写进去了，处于BUSY状态，但是写地址的时候不会有低电平出现，是意味着没写成功吗？
现在是一套指令执行下来，写指令读参数没问题，擦除时读的状态依然是0x40，且一直不变，没搞明白。然后写数，读数，显示读出来的都是FF。以前调得NAND不会出现这样的情况，不知调6678的NAND咋出现这种问题。。。。。
King Wang1：
回复 user1746900:
信号返回是指R/B#值，对应NANDFSR寄存器。
R/B#只有在指令执行完毕之后才会被拉低，比如擦除只有在发出D0命令字后才会拉低，然后如果NAND执行完毕就会恢复。
建议你观察是否有这样的现象，你必须先保证度参数正确，然后确保擦除正确，再去写NAND然后回读。
还有就是建议你换个板子看看，这个是自己的板子还是TI的EVM板子？
user1746900：
回复 King Wang1:
是自己的板子，现在读参数正确，然后按照文档说明执行擦除过程：写命令时拉低然后恢复，接着写block地址（没有拉低现象），再写一个命令拉低然后恢复。接着写读状态命令70，读出来的都是40，是不是意味着没擦除成功？block地址就是从0开始写的，写3个字节。
