TI中文支持网驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
ming chen3：
如若选择TI的NexFET:CSD18540Q5B工作在24V，60A下会不会有什么问题，是否需要并联？
驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
ming chen3：
回复 ming chen3:
应该没有什么问题~
驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
囧：
回复 ming chen3:
你可以到其他模拟产品论坛讨论MSOFET相关问题
驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
Mickey Zhang：
回复 ming chen3:
Absolute Maximum参数的参考意义不大，建议惨Recommended Operating Conditions下的参数。
驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
ming chen3：
回复 Mickey Zhang:
感谢您的回答，CSD18540Q5B datasheet中没有提到Recommended Operating Conditions参数，只有提到Recommended PCB Pattern~
