TI中文支持网您好：
在开发板上可以烧写成功。在自己设计的板子，DSP芯片为6672，无法正常使用nandwriter_evmc6678l工程将.dat文件通过EMIF16烧写进NandFlash，具体描述如下：
（1）NandFlash芯片及外围电路与开发板一致，板子无DDR3，电路的EMIF16已经用于实现其他功能，证明芯片EMIF16正常；
（2）按照【资料共享】SPI flash boot for C66X中的方法，将例程包K1_STK_1010中SPI例程生成SPI.dat；
（3）在利用MCSDK提供的nandwriter_evmc6678l工程将SPI.dat写入NandFlash时的操作步骤与遇到的问题具体如下：
1、将nandwriter.c中的
#define WRITE_DATA_ADDRESS 0x80000000
改为 #define WRITE_DATA_ADDRESS 0x0C000000
2、将nand_writer_input.txt中做如下修改
file_name = spi.dat
start_addr =16384
3、根据READMe.txt进行写操作，进行修改的部分为
将view the memory address 0x80000000改为0x0C000000；
将Load app.bin to 0x80000000改为0x0C000000；
4、运行结果：
在执行上述操作的过程中，有时可以观察到CE0有信号，有时无信号，
有信号的运行结果如下：
NAND write failed；
无信号时的运行结果如下：
[C66xx_0] NAND Writer Utility Version 01.00.00.01
[C66xx_0]
[C66xx_0] NAND device open failed!
[C66xx_0] Returned platform error number is 36
请问：
1、 为何相同的操作会出现不同的操作结果；
2、 是否可以不使用DDR3的地址；
3、 为何数据送至NandFlsah却无法成功写入。
恳请帮助，万分感谢。
ping liu1：
您好：
自己设计的板子，DSP芯片为6672，遇到的问题为无法正常使用norwriter_evmc6678l工程将.dat文件通过SPI烧写进NorFlash，具体描述如下：
（1）NorFlash芯片及外围电路与开发板一致，板子无DDR3，电路的SPI已经用于控制液晶屏显示，证明芯片SPI正常；
（2）按照【资料共享】SPI flash boot for C66X中的方法，将例程包K1_STK_1010中SPI例程生成SPI.dat；
（3）在利用MCSDK提供的norwriter_evmc6678l工程将SPI.dat写入NorFlash时的操作步骤与遇到的问题具体如下：
1、将norwriter.c中的
#define WRITE_DATA_ADDRESS 0x80000000
改为 #define WRITE_DATA_ADDRESS 0x0C000000
2、将nor_writer_input.txt中做如下修改
file_name = spi.dat
start_addr = 0x0C000000
3、根据READMe.txt进行写操作，进行修改的部分为
将view the memory address 0x80000000改为0x0C000000；
将Load app.bin to 0x80000000改为0x0C000000；
4、运行结果：
[C66xx_0] NOR Writer Utility Version 01.00.00.03
[C66xx_0]
[C66xx_0] NOR device open failed!
[C66xx_0] Returned platform error number is 17
程序在跑到p_device = platform_device_open(PLATFORM_DEVID_NORN25Q128, 0)；之后变运行结束。无法获取NorFlash的任何信息。
在执行上述完全一样操作的过程中，有时在这个过程中可以观察到SPICS0，SPICLK，SPIMOSI有信号，但更多时候是没有任何信号。
请问：
1、 为何相同的操作会出现不同的操作结果；
2、 是否可以不使用DDR3的地址；
3、 norwriter_evmc6678l工程在利用SPI烧写的工程中需要作何修改吗。
十分着急，恳请帮助。
hp mu：
回复 ping liu1:
start_addr 应该是flash某一块的起始地址，不应该是 0x0C000000吧
