TI中文支持网6678内核频率1.2GHz，通过EMIF16访问片外FLASH，使用的CE0空间。
根据EMIF16手册对A1CR进行配置，使（SETUP，STROBE， HOLD）分别设置为（1，20，1）。
根据理论推算，一次访问FLASH的周期为22个emif clock，即22*0.83*6=110ns，其中STROBE（低电平）时间约为100ns。
但是6678连续读片外FLASH，用示波器测量到的访问周期有300ns，每个周期高电平200ns，低电平100ns。
请问，比理论值多出的近200ns是怎么来的？
有没有大神回答一下？
Shine：
连续读到话，CS之间还有比较长的间隔，你量一下读 一次的时序。
