C6678 烧写NAND中的问题

• 我在C6678 烧写应用程序到NAND中遇到一点困难，请详细指教。

•  我使用的软硬件是：mcsdk_02_00_09_21   ；ccs_base_5.0.03；  evm6678L

•  在烧写这个过程中我的步骤是：

1. 把文件xxx 到文件夹

mcsdk_2_00_01_12\tools\writer\nand\evmc6678l\bin 下，并改其名字为

app.bin

2. 修改该文件夹下的文件nand_writer_input.txt，默认为

file_name = app.bin

start_addr = 16384

3. EVM 上boot 模式设置为 no boot/EMIF16 模式

4. 打开CCSv5,

5. 打开evmc66xx emulator target configuration

6. 连接core 0

7. 加载（确保evmc66xxl.gel 已执行，DDR 已初始化）

mcsdk_2_00_09_21\tools\writer\nand\evmc6678l\bin\

nandwriter_evm6678l.out

8. 打开 memory view（ CCSv5 里 view->Memory Browser），查看内存地

址0x80000000

9. 把app.bin 下载到0x80000000 处

10. 执行

11. 当烧写完成时，终端显示NAND programming completed successfully，

错误时也有错误提示

编译步骤

工程文件位置

mcsdk_2_00_01_12\tools\writer\nand\evmc6678l

clean nandwriter 工程

build

完成后，生成的文件位于

mcsdk_2_00_01_12\writer\nand\evmc66xxl\bin

• nandwriter_evm66xxl.out 和nandwriter_evm66xxl.map

最后查看运行结果是： 0x70000000之后的地址范围（对应Block 0）值均为0xE0E0E0E0,

理论上应该都是0Xffffffff,，擦除没有成功。自然也写不进去任何数据。难道是系统擦除程序：

“mcsdk_2_00_09_21\tools\writer\nand\evmc6678l\bin\nandwriter_evm6678l.out”有问题？还是我什么地方使用的不对？请高手指点！多谢了！

noaming：

请看：

www.deyisupport.com/…/10802.aspx

Andy Yin1：

注意在mcsdk_02_00_09_21 烧写的地址是在0x0c000000,不是0x80000000

guizhen wang：

烧写NAND前需要将ibl烧写到EPPROM中吗？为什么?

noaming：

回复 guizhen wang:

烧写NAND前，不需要将ibl烧写到EPPROM中，烧写是由单独例程分别烧写的。唯独，boot的时候有关系。

guizhen wang：

回复 noaming:

非常感谢你的答复!

我查过了在mcsdk_02_00_09_21 烧写的地址是在0x80000000,不是在0x0c000000。

即使把烧写的数据放在0x0c000000中，烧写的结果仍然是：0xE0E0E0E0

Xinhai Chen：

回复 guizhen wang:

NAND FLASH是无法直接访问的！你查看的内容当然也不正确.

noaming：

回复 guizhen wang:

既然工程可以运行通过，建议单步运行一下，看看NAND的烧写数值，和读取结果校验数值。

guizhen wang：

回复 Xinhai Chen:

怎么查看NAND FLASH烧写内容？

noaming：

回复 guizhen wang:

工程中不是有这段程序：

* Read a block of data */

       if(platform_device_read(p_device->handle,

                               block*nandWriterInfo.blockSizeBytes,

                               scrach_block,

                               nandWriterInfo.blockSizeBytes) != Platform_EOK)