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对NandFlash烧写以后,再次想OMAPL138 仿真就不成功了

开发板开始是可以仿真的,我先用仿真器将ais程序烧写到了开发板,

烧写之后,代码没有运行成功,而且我想再次仿真时,就不能在仿真了,下面是结果
  
提示运行gel文件主要的错误

//DDR没有成功:
ARM9_0: Output:         PSC1 Sync Reset Transition Timeout on Domain 0, LPSC 6
ARM9_0: Output:         PSC1 Sync Reset Verify Timeout on Domain 0, LPSC 6

//DSP没有开启
ARM9_0: Output:         PSC0 Enable Core Transition Timeout on Domain 1, LPSC 15
ARM9_0: Output:         PSC0 Enable Core Verify Timeout on Domain 1, LPSC 15

如果我想再次通过仿真器烧写NandFlash,加载gel运行的结果还是这样的,然后我去load  "nand_write.out" 程序,然后程序就跑飞了,

请问各位大神是什么原因造成的,

Shine:

请问boot mode管脚设成Emulation Debug mode了吗?

Tony Tang:

你烧进去的程序有问题,跑飞了,把芯片搞乱了。改成别的模式再连仿真器,擦掉flash.

shuo wang10:

回复 Shine:

没有,买的板子已经默认是NandFlash启动了,没有对应的启动方式调节拨码开关

shuo wang10:

回复 Shine:

没有,直接就是NandFlash启动,并没有拨码开关来改变启动方式

shuo wang10:

回复 Tony Tang:

好的,我试一试,  顺便我想问下,我还有另一块板子(板子1),是可以调节拨码开关来改变启动方式的,当我调节到NandFlash启动时,仿真时不成功的,

现在调试的这个板子(板子2)是只有NandFlash启动方式,我是可以通过仿真器仿真的(在我烧程序进NandFlash之前),那为什么板子1通过NandFlash就不能成功仿真呢?而且加载gel文件后的结果和我上面的输出时一样的。

shuo wang10:

回复 Tony Tang:

好的,谢谢了,我还要询问领导的要求改变硬件电阻

Tony Tang:

回复 shuo wang10:

上电时,用镊子将NAND_CS与3.3V短路一下就行了。让boot过程中读不到NAND的内容,再连上仿真器擦掉flash.

shuo wang10:

回复 Tony Tang:

您们好,厂家给我的板子是默认通过NandFlash启动(R195,R196,R197,R198没有的,其他电阻都有),如果我想从EMULATOR DEBUG模式启动,需要R198接上一个电阻,不知道接多大的电阻可以? 还是直接短接就可以?

shuo wang10:

回复 Tony Tang:

这个可以,我明天上班就试试,非常感谢@Tony Tang

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