TI中文支持网在TI官网上下载OMAP-L138_FlashAndBootUtils_2_40，打算修改后用于6748外接的MT29F4G16ABADAH4这款NANDFlash的程序加载，现遇到问题是，利用创龙6748EasyEVM开发板，断点调试时，到提示擦除芯片是，选择"y",成功后到选择.ais文件这一步时，退出debug模式。给开发板重新上电，发现之前板内程序被清除，复位后流水灯不工作。然后再利用Nandwriter程序断点调试时，就不能进入到擦除芯片这一步，单步跟踪，发现在创建NANDFlash对应的结构体时不成功，具体到：
// Fill in structure
hAsyncMemInfo->hDeviceInfo = &DEVICE_ASYNC_MEM_info;
hAsyncMemInfo->memType = memType;
hAsyncMemInfo->busWidth = busWidth;
这一步中，=后的都是有具体值的，但是给前面的结构体变量赋值后，查看结构体变量的值仍为0，没有赋值成功，导致继续执行，到执行
// Do device specific init for the specified memory type, memory width, etc.
(*hAsyncMemInfo->hDeviceInfo->fxnInit)(hAsyncMemInfo);
时报错“No source available for "0xcfe7775c”，
请哪位遇到过该问题的朋友指点指点，谢谢！
user5352634：
然后我又尝试着找了一个NANDFlash读写操作的工程，往NANDFlash里写了一些内容进去，再次利用NANDwriter单步测试，发现到// Fill in structure
hAsyncMemInfo->hDeviceInfo = &DEVICE_ASYNC_MEM_info;
hAsyncMemInfo->memType = memType;
hAsyncMemInfo->busWidth = busWidth;
这一步赋值又正确了，说明NANDFlash的结构体创建成功了，后续可以往里写.ais文件了。
与前述问题结合起来，二者有什么必然联系吗？
Nancy Wang：
回复 user5352634:
重新找的例程跟之前的程序有对比过吗？
OMAP-L138_FlashAndBootUtils_2_40里面的烧写例程我之前在TI开发板上测试过，没有出现你描述的退出debug的现象。
另外你用的创龙的开发板他们应该会提供相关的烧写程序，建议对比看看。
user5352634：
回复 Nancy Wang:
开发板测试都可以，就是用到自己设计的电路上16位nandflash不成功，不过之前测试读自己电路上的flash芯片信息成功过，后续都不行了。在例程基础上也就改了位宽设置
