TI中文支持网AM3352 +nand型号为MT29F2G16ABAEAWP
硬件如下：
Sysboot[9] = 0; sysboot[8] = 0;
软件是调用了AM335X_StarterWare_02_00_01_01 里nandlib里构建了我们的nand读写函数。其中因为我们使用的是16位宽的nand，修正了nandlib里的一个bug为：
NANDPageRead函数里如下，去掉-1,
/* Read the ECC Data from spare area */
NANDDataRead(nandInfo, eccData, (nandEccInfo->eccByteCnt-1));
因为nandEccInfo->eccByteCn = 14, NANDDataRead函数里16位的是在-2做地址指针偏移，入参-1后传入的是13,在-2操作时候指针将异常。
附件为我们的nand read write 驱动。
升级的过程我们是控制如下：
for(j= 0; j<3;j++)
{
ret = BSP_NandWrite(NandAddr,g_USBBuf,offset); //写入nand 存放程序
if(ret != E_PASS)
{
DBG_ERR("Write Nand Err is %03d", ret);
if(j<2)
continue;
else
return FALSE;
}
else//成功
{
break;
}
}
//清除一次buff
memset(g_USBBuf,0,sizeof(g_USBBuf));
for(j=0;j<3;j++)
{
ret = BSP_NandRead(NandAddr,g_USBBuf,offset);
if(ret != E_PASS)
{
DBG_ERR("Read Nand Err is %03d", ret);
if(j<2)
continue;
else
return FALSE;
}
USB_ReadFile_CSControl.CS_A = 0;
//计算读nand出来的校验和
for(i=0;i<offset;i++)
{
USB_ReadFile_CSControl.CS_A += g_USBBuf[i];
}
//判断校验和是否跟读文件读时候校验和一致。
if(USB_ReadFile_CSControl.CS_A != USB_ReadFile_CSControl.CS_B)
{
if(j<2)
continue;
else
return FALSE;
}
else
{
break;
}
}
目前的问题是：
测试方法：APP1 , APP2两个文件，文件内容不同， 一个放U盘一个放SD卡来回不停升级，即NAND写完APP1后，写APP2，再写APP1，不停循环。
（1）sysboot[9] = 0, sysboot[8] = 0;在write完nand后，read的时候就会出现两种情况，返回
NAND_STATUS_READ_ECC_ERROR_CORRECTED
NAND_STATUS_READ_ECC_UNCORRECTABLE_ERROR
该问题还不是每次都出现，是偶尔频发。
（2）另外一个实验结果，sysboot[9] = 1; sysboot[0] = 0;使用同一个升级文件，也会返回ECC erro。有些核心板一直2 3小时，不停升级，也不会重新， 有些板子测试几分钟即可出现。
Mark Liao：
你好，我们也是用的镁光的NAND FLASH（MT29F32G08CBADAWP），内核启动读取ubi文件系统时ecc错误。你们内核是什么版本的呢？没找到你说的函数。我们使用3.14.43的内核版本。
yao wang2：
回复 Mark Liao:
上面的是裸机系统， TI的Starware库关于nand page的read存在一个没必要的读动作，ECC读取会整体读取一次然后512字节做ECC时候再分别读取一次。可去掉整体读取一次的操作。 linux 下应该不存在这个问题。 你这个问题可以用SD卡启动方式下，通过调试U-BOOT去见nand bad检测下，难度本身是否存在坏块。
Mark Liao：
回复 yao wang2:
在u-boot下检测只有三个坏块，在Kernel下测试只有一个好块，其它的都是坏块。
Jian Zhou：
回复 Mark Liao:
把处理器主频和DDR频率降下来试试
Mark Liao：
回复 Jian Zhou:
处理器频率300MHZ，确认是ECC校验位数的问题。我们的NAND FLASH是MT29F32G08CBADAWP，每page为8K，40bit的ECC，内核只支持最大16bit。TI有支持40bit的ECC驱动么？
另外u-boot下是用的bch8，但是可以正常读写，这个是什么原因呢？
NAND FLASH DATA SHEET:
Description Requirement
Minimum number of valid blocks (NVB) per LUN 2054Total available blocks per LUN 2128First spare area location Byte 8192Bad-block mark 00hMinimum required ECC 40-bit ECC per 1117 bytes of data
