关于AM437X评估板电源域去耦电容及旁路电容个数的问题

在AM437X的数据手册上io口电源的去耦电容容值如下图1所示，DDR电源域的旁路电容的个数及容值如图2所示，但是在TI官方的评估板上io口电源的去耦电容和DDR电源域的旁路电容的个数及容值是不满足手册要求的，明显要少很多，如图3所示。此外我们在进行PCB布局布线时发现如果严格按照手册推荐的各电源域的电容的容值和个数去添加，在芯片BGA下方无法摆放这么多电容（放的的太远 滤波去耦效果又不好），因此电容的个数怎么做均衡？在设计官方的评估板时是关于这里怎么考虑的？

                                                                                                                      图1

                                                                                                        图2

                                                                                             图3

Shine：

请参考下面的帖子。
e2e.ti.com/…/629409