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8186调试DDR3时遇到的问题,感谢解答

       自己按照EVM8168做的板子,DDR颗粒和评估板型号一致,做ddr3调试时往地址里依次写入相应位的地址号。发现读出的数据有规律的错位了。如下表,左侧为写入的数据右侧为读出的数据。前32个地址有规律的错位,紧接着的32个地址读出数据正确,然后32个地址又错位,如此循环。

      gel用的评估板提供的,会是什么问题呢?感谢解答!

0x80000000     0x80000008
0x80000004     0x8000000c
0x80000008     0x80000010
0x8000000c     0x80000014
0x80000010     0x80000018
0x80000014     0x8000001c
0x80000018     0x80000000
0x8000001c     0x80000004

0x80000020     0x80000028
0x80000024     0x8000002c
0x80000028     0x80000030
0x8000002c     0x80000034
0x80000030     0x80000038
0x80000034     0x8000003c
0x80000038     0x80000020
0x8000003c     0x80000024

0x80000040     0x80000048
0x80000044     0x8000004c
0x80000048     0x80000050
0x8000004c     0x80000054
0x80000050     0x80000058
0x80000054     0x8000005c
0x80000058     0x80000040
0x8000005c     0x80000044

0x80000060     0x80000068
0x80000064     0x8000006c
0x80000068     0x80000070
0x8000006c     0x80000074
0x80000070     0x80000078
0x80000074     0x8000007c
0x80000078     0x80000060
0x8000007c     0x80000064

 

Eason Wang:

1. 两个DDR控制器都是一样的问题吗?

2. 确认板子和EVM完全一致,DDR的型号具体是什么(EVM批次不同,DDR幸好有所不同)

3. 再测测所有地址写入某些固定的值看看是否仍然存在这个规律。

4. 你可以在CCS的Memory Browser窗口里面直接操作某个具体DDR地址上的值,看看是否和你的测试程序结果吻合。

xuming lv:

回复 Eason Wang:

1、DDR型号为 MT41J128M8JP-125。

2、所有地址写入固定数据也是这样的规律,就是32位数据的后8位会有规律的错位。

3、在CCS的Memory Browser窗口里面直接操作是一样的。比如我改写0x80000000地址的数据,前28位数据能改写,后4位数据不能改写。而0x80000018地址数据的后4位数据被改写了。

4、奇怪的是,两个DDR控制器的起始地址一个为0x80000000,另一个为0xc0000000. 当我写0x80000000地址数据时,0xc0000000地址的数据也跟着变。反过来也一样。是程序配置的原因造成写一个DDR地址时,另一个DDR控制器也跟着写?

Eason Wang:

回复 xuming lv:

你是直接用的EVM的gerber,还是说用的EVM原理图自己重做的Layout?

Eason Wang:

回复 Eason Wang:

CCS 上要操作 DDR内存区域的话,是需要初始化DDR的。请问你用的是uboot的方式还是在CCS下导入Gel文件运行脚本的方式?

xuming lv:

回复 Eason Wang:

根据EVM原理图自己重做的Layout。CCS下导入Gel文件运行脚本的方式操作DDR的。gel 文件是EVM带的。用操作发现就是32位数据的后8位,就是一片DDR写进去的数据,会写到别的地址。

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