用CCS3.3的Memory观看外扩CE1空间FLASH数据，会自动断开 提示错误为

Trouble Reading Memory Block at 0x30d40 on Page 1 of Length 0x63: Error 0x00000002/-2130 Error during: Memory, Cannot access memory address at 0x00061ABB Sequence ID: 65 Error Code: -2130 Error Class: 0x00000002

求帮忙分析下 万分感谢

Shine：

请问你用的是哪款DSP?

是自己的板子还是TI的开发板?

CCS版本和仿真器的型号是什么?

wubinbin wu：

回复 Shine:

TMS320VC5509A 自己做的板子  CCS3.3 仿真器是SEED XDS 510PLUS 

Shine：

回复 wubinbin wu:

有没有加载GEL文件?

DSP跑起来了么? 其他的CE空间可以访问吗?

wubinbin wu：

回复 Shine:

现在可以写了。 擦除数据之后是一个间隔一个的0010 并不是FFFF。写数据也都是只有偶数位能写进。而且不论写哪个地址都是整片的写入。 奇数位都是0.无论是擦除还是写数据。

Shine：

回复 wubinbin wu:

建议量一下flash的烧写时序看是否满足Flash手册上的要求, 试试加长两次写之间的间隔.

wubinbin wu：

回复 Shine:

发现从CE0到CE3空间偶地址都是零，DSP_EMIF_ARDY引脚接到CPLD，CPLD直接给DSP_EMID_ARDY赋1，CCS3.3才能使用Memory观察到CE空间数据也就是从20000开始的数据。上电复位从20000开始偶地址都是0，奇地址都是FFFF，FLASH擦除操作之后，偶地址依然为0，奇地址为0X0010，用十进制显示的时候是16.

CPLD设计中是扩展了FLASH高6位地址FA13-FA18。 DSP A1-A13接FLASH FA0-FA12。 DSP_EMIF_AWE接FWE，DSP_EMIF_ARE接FOE，DSP_EMIF_CE1接FCE   FBYTE直接赋1，位字模式。

Shine：

回复 wubinbin wu:

谢谢分享!