TI中文支持网您好，诸位NB的TI工程师：
在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
Green Deng：你好，请问你使用的是哪款电源芯片？钳位二极管的话据我所知TI没有特定的提供，可以根据自己需求来设计。
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在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
K Mr：这个需要你外部自己来设计去除尖峰的电路
您好，诸位NB的TI工程师：
在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
user5088423：
回复 Green Deng:
1.TI application note里面有电源方案，该电源方案是为了保证vdd和vddio上电时序，为了避免glitch。但是查询了这两款芯片其并没有输出电压的overvoltage Protection的表述。我使用的电源方案芯片不一样，但是上电时序遵循该设计规则。用下来发现28335 vdd vddio容易和地短路，所以想在后期的迭代设计里面加入TVS保护。（电源前端5V已经加入了过压保护设计，但是实际情况是还需要在芯片的管脚处加，增加冗余安全）
2.在TI的application note里面没有找到其芯片内部的结构和IO口内部的电路结构，看看该芯片在设计层面是否有保护，（使用测量仪器没有测量出，故想咨询一下）
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在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
user5088423：
回复 K Mr:
是的，在使用过程中是否发现28335有此种短路情况，是在产品大批量生产过程中？
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user5088423：
回复 Green Deng:
期待您的回复！
您好，诸位NB的TI工程师：
在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
Green Deng：
回复 user5088423:
你好，据我所知，芯片内部的电路结构是不提供的。这类保护还是要在外部做好，稳定的电源供应对芯片的运行非常重要。特别在烧写程序的时候，电源供应不稳定很可能造成芯片flash损坏
您好，诸位NB的TI工程师：
在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
user5088423：
回复 Green Deng:
嗯，为了避免在阅读芯片的资料上有遗漏，所以才提出该要求。
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mangui zhang：使用经验是一定要保护好不可控幅度的IO口只要IO有较强的过冲或大电流灌入都会损坏MCU
表现为电源短路增加匹配电阻做钳位都是外部电路的工作
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在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
user5088423：
回复 mangui zhang:
同意这个论述，在实际芯片损坏的电路里面，未发现IO出现短路的状况。故而猜测是干扰直接从电源端进入（传导干扰）导致芯片发生击穿短路。这个需要设计人员在芯片的外围电路设计将过压保护器件放置在芯片的电源端口附近。唯一比较好奇的是TI的电源application也没有放置过压保护器件，从TI设计人员的专业性来看，应该会放置（检查过电源芯片没有此类保护功能），So这只能是一个功能电路，缺乏在极端情况下的考量。
您好，诸位NB的TI工程师：
在使用tms320f28335芯片开发项目中，遇到dsp芯片损坏的事件,失效现象发生4起，经最终检验发现vdd和vddio对地短路。推测是由于IO管脚耦合尖峰干扰导致损坏，但是使用外用表测试发现对源和地电阻正常（未表现低电阻情况），经由此推测是电源上出现尖峰干扰导致损坏，查询到vdd和vddio损坏电压max2.5V和4.6V。从该参数看需要对电源芯片做过压保护，TI是否有适合28335的保护器件？另外io端口是否有钳位的二极管，3.3V和1.8V在击穿情况是否有短接风险（不是通过地这种方式），再次想确认一下28335内部的电源结构框图和io端口的框图资料是否有。
4433847：不知道TI是否有相应的硬件电路防止这种问题，之前也遇到过，只能自己设计电路防止这种情况的发生。
