TI中文支持网请教TI工程师一个问题：
CC2640R2F串口收到指令，会对编号为0x80和0x81的SNV区进行写操作，每个区写数据大小不会超过252字节，利用软件定时器延时200ms后，使用HAL_SYSTEM_RESET();函数重启设备，测试多次，出现一次发完写命令后，未出现开机信息，所有外设停止运行，重新上电也无法恢复，使用XDS110无法识别设备，该芯片未打过静电，电压一直稳定，目前测试只发现一片。
使用simplelink_cc2640r2_sdk_1_40_00_45\examples\rtos\CC2640R2_LAUNCHXL\ble5stack\simple_central 的主机demo，在SimpleBLECentral_taskFxn任务中开启了一个1ms的定制器，写SNV和软重启函数均放在定时任务中。
读写snv函数：osal_snv_write osal_snv_read
怀疑是写SNV期间造成flash异常，目前XDS110无法连接芯片，无法读取flash。
请教下TI工程师，可能导致此问题的原因，有没有遇到写SNV造成flash异常的先例，或者提供一个稳妥的写SNV流程及注意事项，比如写SNV时是否要求必须关广播、关扫描、关连接等，十分感谢。
Viki Shi：
目前测试只发现一片，请问测试了几片？另外，这个版本的SDK很老了，是否能在新版上进行测试？
Viki Shi：
SNV的操作请参考：dev.ti.com/…/flash_memory-cc2640.html
user4546979：
回复 Viki Shi:
目前测试了30片，每片写SNV的次数随机，但都远远小于10万次，因BLE5占用资源较多，升级SDK后用户flash不够，1.40.00.45版本的SDK写SNV是否有存在问题，或者说最新的SDK修复了此问题，可否提供SDK的升级版本记录，在TI官网上并未看到有明显的BUG修复记录。
user4546979：
回复 Viki Shi:
检测片子的dcdc_sw引脚，电压只有0.3V，其他正常的板子1.6V，ccfg.c里面默认是使能内部dcdc的，从未改动这个地方。
#define SET_CCFG_SIZE_AND_DIS_FLAGS_DIS_ALT_DCDC_SETTING0x0// Alternative DC/DC setting enabled
ccfc区在flash的最后面，属于8K的SNV区，程序中OSAL_SNV=1，只使用了前4K，即使写SNV出错也不应该影响后一个4K
Viki Shi：
回复 user4546979:
照理说 CCGF跟SNV是独立的page，不应该互相影响。出现问题的那个芯片，你读取程序看CCFG的DCDC被改动了吗?
user4546979：
回复 Viki Shi:
接上XDS110，Flash Programmer 2提示以下信息，无法连接芯片，也就无法读flash
>Initiate access to target: XDS-19070109.
>Create XBAL object failed: Debug interface is locked.
>Failed to create device object.读取正常的片子，SVN写的数据从0x1e000开始，flash最后一个地址是0x1ffff，中间相差0x1fff字节，十进制8191字节，而CCFG就在flash的最后几行，flash按一页4K擦写，改写SVN时是会影响到CCFG区的，但是当前程序中OSAL_SNV=1，怎么会影响CCFG区呢？.
请问有没有其他方法定位问题？感谢
user4546979：
回复 Viki Shi:
之前理解错了，CCFG确实单独占一页，我将OSAL_SNV改为2，发现参数区从之前的0x1e000挪到了0x1d000，提前了一个page，我们假设CCFG区数据未丢，还有其他原因导致dcdc_sw引脚电压异常吗？
