TI中文支持网在对CC2530芯片进行Flash写步骤中，有这样的描述：
1、设置FADDRH：FADDRL为起始地址（这是18位字节地址的16个最高有效位）。
请问这个地址设置后是否能自增，还是在编程4个字节后重新设置下一个地址呢？
4、在20us内对FWDATA进行四次写操作。
请问四次写操作具体是如何写的？
xiaoxie：
请问CC2531F256的256KBFlash中有哪些Bank中的哪些范围是不能读写操作的？256KB最后1KB（按空间编排地址：3FC00~3FFFF）有什么特殊用途吗？能进行正常的读写操作吗？
