TI中文支持网TI工程师您好，
我现在想用HalFlashWrite写入指定地址，最好是在NV里，不知道那些位置是可用的呢？芯片是CC2530 F256
还有 HalFlashWrite 的几个参数都不是很明白
addr- actual addr / 4 and quad-aligned. 这个参数和HalFlashErase的page的关系是什么样的？
下面的两个参数，如果我只是要写一个 1 进去，那buf是否设置为4字节长度的数值？比如一个long int?还是一个4字节的数组？
buf – Valid buffer space at least as big as 'cnt' X 4.
cnt – Number of 4-byte blocks to write.
谢谢！
VV：
你好，
关于NV里面哪些用户可以用，哪些协议栈已经用掉，请参考
C:\Texas Instruments\Z-Stack Home 1.2.0\Documents\API\OSAL API.pdf 第10节
HalFlashWrite函数中，除以4，是因为CC2530 Flash写操作必须是一次4个字节的，所以要除以4. 擦写的话，必须是一个page整体擦掉。
因为一次写4个字节，所以最小单位要实际的数除以4
Shanshan Ouyang：
回复 VV:
谢谢VV，
但OSAL API 里面给的值是给 NV item ID的，之前我有问过你这个ID是否可以决定写入的实际地址，你说不行。那为什么在这里又可以了呢？
按照你的说法，0x0401-0x0FFF是可用的, 我试着按照你说的写了对0x0401的读写操作，不知是否正确：
{
uint8 buff[4] = {0x00, 0x00, 0x00, 0x01}
HalFlashErase(？？); // page该如何计算？
while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete
HalFlashWrite(0x0101, buff, 1); // 0x401/4 向上取整等于0x101HalFlashRead(？？, 0x0000, buff, 1);
}
请尽快回复，十分感谢！！！
Shanshan Ouyang：
回复 VV:
请尽快回复，谢谢！
VV：
回复 Shanshan Ouyang:
你好，
在使用osal_nv_write根据NV ID里面会根据ID去计算该item位于flash的实际位置，然后再调用HalFlashRead函数。
