问题:
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对比DEMO |
DUT |
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CH11 |
CH19 |
CH26 |
CH11 |
CH19 |
CH26 |
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测试项 |
2405 |
2445 |
2480 |
2405 |
2445 |
2480 |
TX |
power |
3.18 |
2.94 |
2.05 |
0.44 |
0.82 |
1.05 |
RX |
sensitivity |
-95 |
-89 |
-92 |
-87 |
-75 |
-82 |
注:由于测试环境不是在屏蔽房中,外界wifi有一些干扰,灵敏度值不是很准,但是可以确认我们的灵敏度确实比demo板差很多。
请问可能很电路的哪部分有关系?
Susan Yang:
您是否有参考TI给出的参考设计?能否上传下您的原理图?
lin zhou3:
回复 Susan Yang:
as attach
lin zhou3:
回复 Susan Yang:
我们发现 用仪器测出来输出的本振泄漏比评估板高12个dB。我们和demo板交换了晶体及CL,也交换了输出的平衡匹配,现象一样。
请问,本振泄漏和电路的哪一方面有关系?是不是可能是灵敏度差的原因
Butterfly:
回复 lin zhou3:
频偏看了没?
晶振的精度要保证,频率精度都是由晶振来保证的,包括:a)本身精度 b) 随温度变化的漂移 c)老化
还有调两个负载电容,让芯片产生射频CW(等幅波)波,用频谱仪测频率精度,直到频谱仪上测频率精度达到要求,你画的板子和EVM板对匹配电容的值不一定一样的,需要调的
lin zhou3:
回复 Butterfly:
频偏我们已经tune到0.5ppm左右(demo板上看是-20ppm),LO leakage没有变化。
2530是零中频的方式的吧,LO leakage是不是会影响接收性能?