TI中文支持网1.我们之前采用TI-Instaspin-FOC做了一款无感电机驱动器。gate driver：DRV8305 MOSFET：TI的CSD18540Q5B。现在需要硬件设计改版。
想选用其他的大功率MOSFET。关于DRV8305和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面，能否提供TI相关的参考资料或应用笔记？
或是关于DRV8305的IDRIVE应用上的参考文档，达到DRV8305和其他MOSFET的匹配。
2.BoostXL-DRV8305EVM上 DRV8305和CSD18540Q5B没有增加驱动电阻，是不需要驱动电阻吗？为什么DRV8301参考设计有10欧姆驱动电阻？
有相应的理论和计算指导吗？
3.TI的开发板套件BoostXL-DRV 8305EVM 都是采用的DRV8305和MOSFET及采样电阻放在一块驱动板上。
我们准备将DRV8305放到控制板上。这样电流和电压检测信号及MOSFET驱动信号需要过插针与驱动板相连。
比较担心的就是电流采样信号过插针送至8305的内置运放，会不会导致电流信号检测衰减，噪声大误差大。
这一布局方案是否可行？在layout上有什么需要注意？
5.关于MOSFET并联方案，TI是否有相应的参考文档借鉴。指导IDRIVE驱动电流和MOSFET并联的layout设计。
6.我们板子上有CAN和PWM信号隔离需求。
对CAN的CAN_TX 和CAN_RX 直接使用数字隔离芯片ISOW7843F和SN65HVD234方案是否可行，能否到和ISOISO1050一样的隔离效果吗？
7.DRV8305和DRV8323（支持高压）他们的SPI协议是否相同。能否兼容？
谢谢~
希望得到TI工程师的回复~
ming chen3：
回复 Igor An:
非常感谢 Igor An的详细回答。
我会详细看您说的内容。
谢谢~
1.我们之前采用TI-Instaspin-FOC做了一款无感电机驱动器。gate driver：DRV8305 MOSFET：TI的CSD18540Q5B。现在需要硬件设计改版。
想选用其他的大功率MOSFET。关于DRV8305和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面，能否提供TI相关的参考资料或应用笔记？
或是关于DRV8305的IDRIVE应用上的参考文档，达到DRV8305和其他MOSFET的匹配。
2.BoostXL-DRV8305EVM上 DRV8305和CSD18540Q5B没有增加驱动电阻，是不需要驱动电阻吗？为什么DRV8301参考设计有10欧姆驱动电阻？
有相应的理论和计算指导吗？
3.TI的开发板套件BoostXL-DRV 8305EVM 都是采用的DRV8305和MOSFET及采样电阻放在一块驱动板上。
我们准备将DRV8305放到控制板上。这样电流和电压检测信号及MOSFET驱动信号需要过插针与驱动板相连。
比较担心的就是电流采样信号过插针送至8305的内置运放，会不会导致电流信号检测衰减，噪声大误差大。
这一布局方案是否可行？在layout上有什么需要注意？
5.关于MOSFET并联方案，TI是否有相应的参考文档借鉴。指导IDRIVE驱动电流和MOSFET并联的layout设计。
6.我们板子上有CAN和PWM信号隔离需求。
对CAN的CAN_TX 和CAN_RX 直接使用数字隔离芯片ISOW7843F和SN65HVD234方案是否可行，能否到和ISOISO1050一样的隔离效果吗？
7.DRV8305和DRV8323（支持高压）他们的SPI协议是否相同。能否兼容？
谢谢~
希望得到TI工程师的回复~
mangui zhang：
4.采样电阻后肯定要用运放处理 此部分地和ADC的模拟地做一起
5.能找见电流需求的最好别用分离器件并联
6.采用带隔离的can驱动器
1.我们之前采用TI-Instaspin-FOC做了一款无感电机驱动器。gate driver：DRV8305 MOSFET：TI的CSD18540Q5B。现在需要硬件设计改版。
想选用其他的大功率MOSFET。关于DRV8305和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面，能否提供TI相关的参考资料或应用笔记？
或是关于DRV8305的IDRIVE应用上的参考文档，达到DRV8305和其他MOSFET的匹配。
2.BoostXL-DRV8305EVM上 DRV8305和CSD18540Q5B没有增加驱动电阻，是不需要驱动电阻吗？为什么DRV8301参考设计有10欧姆驱动电阻？
有相应的理论和计算指导吗？
3.TI的开发板套件BoostXL-DRV 8305EVM 都是采用的DRV8305和MOSFET及采样电阻放在一块驱动板上。
我们准备将DRV8305放到控制板上。这样电流和电压检测信号及MOSFET驱动信号需要过插针与驱动板相连。
比较担心的就是电流采样信号过插针送至8305的内置运放，会不会导致电流信号检测衰减，噪声大误差大。
这一布局方案是否可行？在layout上有什么需要注意？
5.关于MOSFET并联方案，TI是否有相应的参考文档借鉴。指导IDRIVE驱动电流和MOSFET并联的layout设计。
6.我们板子上有CAN和PWM信号隔离需求。
对CAN的CAN_TX 和CAN_RX 直接使用数字隔离芯片ISOW7843F和SN65HVD234方案是否可行，能否到和ISOISO1050一样的隔离效果吗？
7.DRV8305和DRV8323（支持高压）他们的SPI协议是否相同。能否兼容？
谢谢~
希望得到TI工程师的回复~
ming chen3：
回复 mangui zhang:
你好，感谢你的回答。
4.这里边DRV8305是内部集成3个运放的，这样就可以利用其实现Rshunt测量。
我想把Rshunt放在驱动板上，经排针送至控制板的DRV8305内置运放。不知道这样是否可行。或是layout需要注意什么？
5.其实实际产品中MOSFET并联方案还是比较多的。
6.我之前一直以为数字隔离芯片只能隔离IO信号。隔离CAN只能选择隔离can芯片。比如：ISO1050.
但在ISOW7821的datasheet看到下图应用。感觉直接用数字隔离芯片，直接隔离CAN-TX和CAN-RX也是可以的。
好处是ISOW系列自带隔离电源。尺寸也比ISO1050+隔离电源方案要小。价格问题可忽略。
