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近期在使用TMS570LC4357经EMIF的异步接口(CS3)访问外部的NVRAM时遇到了读写速度问题，经过示波器观察发现每次读写操作时各信号的时序好像有问题。我把现象给介绍一下，麻烦大家看看问题出在哪里，谢谢大家了。
处理器主频设置为280Mhz，EMIF参考的VCLK3设置为70MHz。通过EMIF的ASYNC2也就是EMIF_CS3外部挂接了NVRAM设备。总体来说，NVRAM读写结果是正确的，但是感觉读写时序中一些信号的持续时间有异常。
EMIF接口设置如下图所示。
对NVRAM进行最简单的读写操作，测试结果如下。
读操作：
程序：
如上图所示，初始化完成后，程序仅进行了三次简单的读操作。
用示波器测试EMIF的片选CS3（示波器中黄色信号）和OE信号（示波器中绿色信号），如下图所示：
可以看到片选为低的时间并不长，但为高的时间（空闲时间）却有298ns。但emif设置的接口参数中TA的值为1，理论上高电平应该仅持续两个始终周期，即大约28ns。
写操作：
程序：
如上图所示，初始化完成后，程序仅进行了四次简单的写操作。
用示波器测试EMIF的片选CS3（示波器中黄色信号）和WE信号（示波器中绿色信号），如下图所示：
可以看到，写信号有效的时间基本正确，两次写之间的间隔也基本正确，但片选在写信号无效后，仍持续了近300ns。这个时间应为WH参数配置，本测试中配置为1，也就是大约30ns，不应该为300ns这么久。
Annie Liu：
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