TI中文支持网1、可以使用片内的1M的flash空间进行数据的存储，来进行掉电数据保护吗？
2、问题1答案是可以得话，下载的程序存到哪里了呢？是不是可以通过IAR设置程序的地址？
3、问题1答案是可以得话，存储数据的地址可以自己确定吗？，可编程地址如下：
请问，RAM、FLASH、HET RAM的地址分别是多少？
4、如果可以存储数据的话，存储的时候，看到这句话：
请问，这个芯片写入的时候是可以2个2个字节写入对吧？那写之前要进行擦除吗？是不是按页（16K字节）擦除？对于已经有数据的地址再写数据时，要擦除吗？
5、在其总的手册中有以下一句话：
，请问，这个50000是指读写次数吗？那么这个次数是怎么算的呢？①是每bit可以进行50000次读写，②还是读写1次就算1次？比如，对flash中的8个字，64bit进行每2个字节的间断性写操作，过程中是对每bit进行操作，按第1中解释，那么其实算使用掉了1次读写机会；按第2种解释，写了8/2=4次，使用掉了4次读写机会。
gaoyang9992006：
可以，手册里提到这个功能了。
另外Flash写之前都是要经过擦除的，有数据的位置如果不擦除一般都是不可以写入。你说的写入次数确实如此，因此你要合理的写入方式确定这个，比如定义个文件头和文件尾，这样用于区分写到哪儿了，按顺序，写完后，再回头开始写，免得总是写在一个位置。
sihang fan：
回复 gaoyang9992006:
首先谢谢您的回答，其次，能说得更详细点吗。
1、那我按页擦除后，就挨顺序写就行了，没必要每次写都擦一遍，直到把一页写完，这么说对吗？
2、关于写入次数，我的想法是有两种，您说得具体是哪一种呢?
sihang fan：
回复 gaoyang9992006:
关于这个问题，能抽空帮我解答一下吗？
