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F149进行FLASH随机地址写入,为什么flash_writechar()函数,单个使用可以正常在FLASH写入数据,两个flash_writechar()函数一起使用,就无法写入?

/*********************************************************

此为flash_writechar() 的子函数,将infoA段的数据复制到RAM中

********************************************************/

void flash_backup2RAM_char(unsigned int segment,unsigned char *array,int segsize)
{
unsigned char *ptr=(unsigned char *)segment;
int i;
           for(i=0;i<segsize;i++)
           {
                array[i]=ptr[i];
           }
}

void flash_writechar(unsigned int addr,unsigned char data)
{
unsigned char *flash_ptra;
unsigned char *flash_ptrb;
unsigned char backuparray[32];
int i;
flash_ptra=(unsigned char *)0x1080;
flash_ptrb=backuparray;
flash_backup2RAM_char(flash_saveaddr,backuparray,32);
FCTL1=FWKEY+ERASE;
FCTL3=FWKEY;
_DINT();
*flash_ptra=0;
 while(FCTL3&BUSY);
FCTL1=FWKEY+WRT;
       for(i=0;i<MAX_DATA_NUM;i++)
       {
                       if(i==addr)
                      {
                             *flash_ptra++=data;
                               while(FCTL3&BUSY);
                               flash_ptrb++;
                      }
                       else
                      {
                                 *flash_ptra++=*flash_ptrb++;
                                    while(FCTL3&BUSY);
                      }
        }
FCTL1=FWKEY;
FCTL3=FWKEY+LOCK;
_EINT();
}

例如:

void main()

{

flash_writechar(addr_gaoya,0x02);

}

调试的时候,全速运行以上主函数,能成功在0x1080偏移量为addr_gaoya的地址上写入0x02 ;

void main()

{

flash_writechar(addr_gaoya,0x02);

flash_writechar(addr_default,0x05);

_NOP();

}

调试的时候,全速运行以上主函数,则无法在以上两个任意一个地址写入任意一个数(即0x1080,infoA段上仍然全是FF)。如果在下一句的_NOP();处设置断点,

全速运行后到达不了该断点处。

PS:  IAR里的opinion里的FET Debugger里的“erase main memory”  与“erase main and information memory”选项  都已尝试过。

求解惑

Lina Lian:

waterank join, 每次对Flash写入内容之前,需要先erase.即每erase一次,在同一地址只可写入一次。这是flash的特性。举个例子,erase后,某个地址是0xFFFF, 后对该地址写入0x0000, 如果你再在这一地址写入0x0001,那是肯定不会成功的。当然此例子有些极端。

你可以参考一下TI MSP430Ware中flash write的例程看看。

Lina Lian:

回复 Lina Lian:

附件是MSP430F149在MSP430Ware中的例子,你可以看看,每次写之前,都进行了erase。希望对你有帮助!O(∩_∩)O~

join waterank:

回复 Lina Lian:

 Lina Lian,你好!这个flash_writechar()函数里,已有对infoA段进行erase的操作。 先将infoA段的数据复制到RAM里,然后擦除infoA段,然后将复制到RAM的数据与需要更改的数据一并写入infoA段里。

FCTL1=FWKEY+ERASE;FCTL3=FWKEY;_DINT();*flash_ptra=0; while(FCTL3&BUSY);

这个是flash_writechar()函数里,对infoA段进行erase的代码。

补充:

void flash_init(void){ FCTL2=FWKEY+FSSEL_2+FN4+FN2+FN1;}

这是对flash的时钟进行设置的函数

join waterank:

回复 join waterank:

弄好了

因为是FLASH时钟频率设置这个函数我写在后面去了,所以一开始erase写入什么的,都还没有对FLASH时钟频率进行设定

自然出了问题

Lina Lian:

回复 join waterank:

恭喜,问题解决就好!O(∩_∩)O~

Shi JianHua:

回复 Lina Lian:

我记得flash的擦鞋是128字节为单位的。

Lina Lian:

回复 Shi JianHua:

flash的擦除最小是以segment为单位的,不同device,segment大小是不同的。

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