TI中文支持网由于项目需求变化，我现在需要记录大量的数据，原本写在信息块中（0X1000-0X10FF）现在是肯定写不开了，由于产品程序不大仍留有较多空间，所以我想写在程序段中，我已经简单实验过了，我想问一下
1、数据能擦除吗？操作有区别吗
2、每一次擦出能擦掉多少内存，在信息存储中每次可擦出64字节，在程序存储器中一样吗？
3、掉电会怎样？
我想使用内部温敏二极管，我看到G2553在FLASH中有温度校验值，这个值怎么用
比如：1.5V基准时， 85度对应036C—-876
30度对应02e6—-742
例程中有计算公式，oC =((A10/1024)*1500mV)-986mV)*1/3.55mV = A10*423/1024 – 278
这个参数应该怎么用，他是芯片在30度是得到的电压值吗，将A10带入742，oC带入30度，修改“278”？？还是修改"986mV"??
给指条明路，谢谢大家。
灰小子：
1\数据能猜擦除，都是flash，操作没区别
2、每次擦除512字节
3、掉电不会丢失数据，但ram的数据在掉电时要及时写入flash。这点和信息flash存储区是一样的
