请问flash内地址操作的问题

请问一下# pragma location="RAM_PASSWORD"    

与  

extern        uint16_t     _App_Start; // Address of Application start

区别，是不是两种方法都可以对flash内对应的地址进行数值操作呢？

其中在flash内对应的地址如下（.xcl 文件内flash划分）

// RAM Start Address: -D_RAM_START=200

// Address of RAM Password (2B)

-D_RAM_PASSWORD_ADDR=_RAM_START

// Flash Start Address:
-D_FLASH_START=C000

// Application Start address (after checksum)
-D_App_Start=(_FLASH_START+3)

user1607139：

补充一个问题，如果可以跟变量一样对其所对应地址进行赋值操作的话，与通过flash操作写flash什么区别呢？

灰小子：

# pragma location 和特定的开发环境有关系。一般只在boot中用这种方法

Delta：

回复 user1607139:

编译之后，看反汇编就知道差别了。