TI中文支持网TI专家
你们好，我们产品由于PCB空间有限，所以在数据存储时用到了430 本身的flash空间，当数据有改变时我会擦除掉原有的数据，再写入新的数据。
现在的问题是有的430的flash在经过多次改写后某些字节的数据会发生改变，并不是每次改写flash都会出错，大概会有千分之一的概率出现这种错误
我查找了一下原因，发现原因可能如下：
产品前期使用的时钟为1M，在对flash进行初始化时有使用了这个语句：FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + FN1;闪存控制器时钟为0.33MHz
产品后期使用的时钟改为8M，忘记更改flash闪存控制器时钟分频器，依旧是FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + FN1;，这导致闪存控制器时钟为2.67MHz
这个是不是导致flash数据有些字节会改变的原因？
如果是这个原因导致的，前期的产品已经交付，不可能再修改已烧录的程序，不过已交付的产品不会对flash进行修改，只会从flash上读取数据，如果闪存控制器时钟为2.67MHz，从flash上读取数据错误的可能性有多大？
谢谢！
灰小子：
flash的操作频率必须是257K到476K之间
工作电压不能小于2.7V
不符合这两个要求，结果不可预测
zhenglong zhu1：
回复 灰小子:
在datasheet看到“During flash memory programming”的电压范围是2.2V-3.6V，产品是3.3V供电，符合要求，我刚才又检查了一下代码，flash的操作频率确实是2.67MHz，这两天我试着重现错误，但都没有成功，说明在这个频率下向flash写入数据出现的错误的几率很低。有可能不是这个原因造成flash数据出错？我很疑惑
同时MCU还进行AD采集，对AD的配置如下ADC10CTL0 |= SREF_0 + ADC10SHT_2 + MSC + REF2_5V + REFON;ADC10CTL1 |= ADC10SSEL_3 + INCH_4 + CONSEQ_2; 根据datasheet上的说明“The first rising edge of the SHI signal triggers the sampling timer, but further sample-andconversions are performed automatically as soon as the prior conversion is completed”，AD在上次转换完成之后紧接着进行下一次转换。AD采集会不会对flash数据写入造成影响？
灰小子：
回复 zhenglong zhu1:
擦除和写flash的时候中断关了吗？
zhenglong zhu1：
回复 灰小子:
在擦除和写的flash时候把中断关上了，完成后又打开的，下面这个函数是写flash的
void flashWriteData(uint8 *source, uint8 *dest, uint16 length){ FCTL1 = FWKEY + WRT; /* Set WRT bit for write operation */ FCTL3 = FWKEY; /* Clear Lock bit */ DINT; for (uint16 i = 0; i < length; i++) { dest[i] = source[i]; } waitForEnable(); /* Busy */ EINT; FCTL1 = FWKEY; /* Clear WRT bit */ FCTL3 = FWKEY + LOCK; /* Set LOCK bit */}
擦除flash函数和写flash思路相同。
我现在觉得有可能一下两个原因导致的flash数据有变化：
1、flash控制器频率误改为2.67M（但我在高温、低温和常温下做了很多次试验，都没有出现flash数据改变情况出现）
2、AD运行导致往flash写数据时受到干扰（这个可能是我的臆测）
你怎么看
灰小子：
回复 zhenglong zhu1:
1、该问题前面已经回复，不再重复
2、ad运行有没有操作flash？如果没有，理论上不会影响flash写数据的。
