我用PSpice for TI这个软件搭建NMOS的仿真电路的时候,用库里自带的理想NMOS,达到了导通条件但是MOS管并未完全导通,比如我S极接的地,按理说D极电位在导通时会被直接拉到地,电压为0才对,但是仿真结果显示在mos导通前后,D极电压只差了几十mv,根本拉不到0V。后来我将D极连接的负载电阻阻值调大到MΩ级别时,mos管这时才能被完全导通,我很不理解,就像是Ids的值必须很小才行,不知道如果导入实际的NMOS模型会不会就能正常仿真了。而且我试了一下理想PMOS来仿真,是没有出现这种情况的。
图1/2:D极接小电阻时的电压
图3/4:D极接大电阻时的电压
图 1 图 2 图 3 图 4
Zhou Zongxun:
我又试了试,发现PSpice库里所有的理想NMOS都有类似的问题,但换成Texas Instruments库里的实际NMOS模型就可以实现完全导通,希望工程师能将这个问题优化一下