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受朋友之托,今天第一次给大家发帖子, 把珍藏的成年老窖, 让大家尝尝, 下面是我珍藏多年的代码,我自认为有价值, 如果对你有点点帮助,请个我回个帖子.
我们用的MSP430时, 内部有几十个字节information memory 可以当EEPROM来用, 无需再外扩EEPROM芯片, 用量保存一下系数的掉电保存的数据. 我一直用这个, 很好用.
特别说明:
1.说明我用的是IAR编译器, 在IAR上一定能通过
2. 利用information memory 作为EEPROM 掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;
3. 写information memory 必须在RAM中运行程序. 将程序从flash 跑到RAM中运行, 很有意思. 这是第二个亮点.
4. 源文件,下载 
#include "MSP430x16x.h"
#include "string.h"
#include"stdlib.h"
#include"flash.h"
/************************************************************************************
** 函数名称: flashWrite
** 功能描述: 在MSP430flash中写数据
**
** 输 入: td:写入地址, sd:源数据指针, size:写入字节数
** 输 出: 无
** 返 回 值: 返回需要发送给其他任务处理的数据块的指针。
** 全局变量:** 调用模块:** 作 者: 陈文浩
** 日 期: 2010年07月12日
************************************************************************************/
void flashWrite(unsigned char * td, unsigned char *sd, unsigned char size)
{
typedef void(*funp)(unsigned char*,unsigned char *, unsigned char); //定义函数指针类型
funp FLASHBLK;char ramcode[100]; //ram内程序及数组地址指针_DINT();//ramcode=(char *)malloc(sizeof(char)*100); //为放入内存的子程分配空间(需先将heap值设为180)
FLASHBLK = flashWriteBlock; //函数指针赋值
memcpy(ramcode,(char *)FLASHBLK,100); //将块写子程放入ram中已分配空间
FLASHBLK=*(funp)ramcode; //将函数指针指向ram中的块写子程
flashErase(td); //段擦
(FLASHBLK)(td,sd, size); //块写(调用的是ram中的块写子程)
//free(ramcode); //释放空间
_EINT(); //开放中断
}
void flashWriteBlock(unsigned char * td,unsigned char *sd, unsigned char size)
{
int i;
while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测busy位
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+20; //flash模块时钟源为MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT; //块写
for(i=0;i<size;i++) //写64字节数据
{*td++=*sd++; //写入
while((FCTL3&WAIT)==0); //检测wait位 是否写入该字
}
FCTL1=FWKEY; //BLKWRT WRT位复位
while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测BUSY位
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定
}
/*******************************************************************************//* 段擦除子程序 */
/*******************************************************************************/
void flashErase(unsigned char *td)
{
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+10; //flash模块时钟源位MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+ERASE; //段擦除
*td=0; //在欲进行操作的段中空写,启动擦除操作
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定}
//功能：FLASH操作 BYTE数据写入
//编程时钟:257KHZ~476KHZ
void flashWriteByte(unsigned char * pdata, unsigned char data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12; //3686400/300K=12
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}
void flashWriteWord(unsigned short * pdata, unsigned short data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12;
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}
arm999：
受朋友之托,今天第一次给大家发帖子, 把珍藏的成年老窖, 让大家尝尝, 下面是我珍藏多年的代码,我自认为有价值, 如果对你有点点帮助,请个我回个帖子.
我们用的MSP430时, 内部有几十个字节information memory 可以当EEPROM来用, 无需再外扩EEPROM芯片, 用量保存一下系数的掉电保存的数据. 我一直用这个, 很好用.
特别说明:
1.说明我用的是IAR编译器, 在IAR上一定能通过
2. 利用information memory 作为EEPROM 掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;
3. 写information memory 必须在RAM中运行程序. 将程序从flash 跑到RAM中运行, 很有意思. 这是第二个亮点.
4. 源文件,下载
#include "MSP430x16x.h"#include "string.h"#include"stdlib.h"#include"flash.h"
/************************************************************************************** 函数名称: flashWrite** 功能描述: 在MSP430flash中写数据**** 输入: td:写入地址, sd:源数据指针, size:写入字节数** 输出: 无** 返 回 值: 返回需要发送给其他任务处理的数据块的指针。** 全局变量: ** 调用模块: ** 作者: 陈文浩** 日期: 2010年07月12日************************************************************************************/void flashWrite(unsigned char * td, unsigned char *sd, unsigned char size){typedef void(*funp)(unsigned char*,unsigned char *, unsigned char); //定义函数指针类型funp FLASHBLK; char ramcode[100]; //ram内程序及数组地址指针 _DINT(); //ramcode=(char *)malloc(sizeof(char)*100); //为放入内存的子程分配空间(需先将heap值设为180)FLASHBLK = flashWriteBlock; //函数指针赋值memcpy(ramcode,(char *)FLASHBLK,100); //将块写子程放入ram中已分配空间FLASHBLK=*(funp)ramcode; //将函数指针指向ram中的块写子程flashErase(td); //段擦(FLASHBLK)(td,sd, size); //块写(调用的是ram中的块写子程)//free(ramcode); //释放空间_EINT(); //开放中断}void flashWriteBlock(unsigned char * td,unsigned char *sd, unsigned char size){int i;while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测busy位FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+20; //flash模块时钟源为MCLK 分频2FCTL3=FWKEY; //解锁FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT; //块写for(i=0;i<size;i++) //写64字节数据{ *td++=*sd++; //写入while((FCTL3&WAIT)==0); //检测wait位 是否写入该字}FCTL1=FWKEY; //BLKWRT WRT位复位while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测BUSY位FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定}/*******************************************************************************/ /* 段擦除子程序 *//*******************************************************************************/void flashErase(unsigned char *td){FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+10; //flash模块时钟源位MCLK 分频2FCTL3=FWKEY; //解锁FCTL1=FWKEY+ERASE; //段擦除*td=0; //在欲进行操作的段中空写,启动擦除操作FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定 }
//功能：FLASH操作 BYTE数据写入//编程时钟:257KHZ~476KHZvoid flashWriteByte(unsigned char * pdata, unsigned char data){//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗_DINT(); //关闭总中断FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12; //3686400/300K=12FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;*pdata = data;FCTL3 = FWKEY+LOCK; ////开通看门狗_EINT(); //开放中断}
void flashWriteWord(unsigned short * pdata, unsigned short data){//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗_DINT(); //关闭总中断FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12;FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;*pdata = data;FCTL3 = FWKEY+LOCK; ////开通看门狗_EINT(); //开放中断}
Maka Luo：
非常不错的分享！
补充一点，部分MSP430中A区中存有部分芯片调校数据，如果需要利用A区，需要仔细看一下DATASHEET.
yangfeng he：
回复 arm999:
arm999
受朋友之托,今天第一次给大家发帖子, 把珍藏的成年老窖, 让大家尝尝, 下面是我珍藏多年的代码,我自认为有价值, 如果对你有点点帮助,请个我回个帖子.
我们用的MSP430时, 内部有几十个字节information memory 可以当EEPROM来用, 无需再外扩EEPROM芯片, 用量保存一下系数的掉电保存的数据. 我一直用这个, 很好用.
特别说明:
1.说明我用的是IAR编译器, 在IAR上一定能通过
2. 利用information memory 作为EEPROM 掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;
3. 写information memory 必须在RAM中运行程序. 将程序从flash 跑到RAM中运行, 很有意思. 这是第二个亮点.
4. 源文件,下载
#include "MSP430x16x.h"#include "string.h"#include"stdlib.h"#include"flash.h"
/************************************************************************************** 函数名称: flashWrite** 功能描述: 在MSP430flash中写数据**** 输入: td:写入地址, sd:源数据指针, size:写入字节数** 输出: 无** 返 回 值: 返回需要发送给其他任务处理的数据块的指针。** 全局变量: ** 调用模块: ** 作者: 陈文浩** 日期: 2010年07月12日************************************************************************************/void flashWrite(unsigned char * td, unsigned char *sd, unsigned char size){typedef void(*funp)(unsigned char*,unsigned char *, unsigned char); //定义函数指针类型funp FLASHBLK; char ramcode[100]; //ram内程序及数组地址指针 _DINT(); //ramcode=(char *)malloc(sizeof(char)*100); //为放入内存的子程分配空间(需先将heap值设为180)FLASHBLK = flashWriteBlock; //函数指针赋值memcpy(ramcode,(char *)FLASHBLK,100); //将块写子程放入ram中已分配空间FLASHBLK=*(funp)ramcode; //将函数指针指向ram中的块写子程flashErase(td); //段擦(FLASHBLK)(td,sd, size); //块写(调用的是ram中的块写子程)//free(ramcode); //释放空间_EINT(); //开放中断}void flashWriteBlock(unsigned char * td,unsigned char *sd, unsigned char size){int i;while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测busy位FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+20; //flash模块时钟源为MCLK 分频2FCTL3=FWKEY; //解锁FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT; //块写for(i=0;i<size;i++) //写64字节数据{ *td++=*sd++; //写入while((FCTL3&WAIT)==0); //检测wait位 是否写入该字}FCTL1=FWKEY; //BLKWRT WRT位复位while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测BUSY位FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定}/*******************************************************************************/ /* 段擦除子程序 *//*******************************************************************************/void flashErase(unsigned char *td){FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+10; //flash模块时钟源位MCLK 分频2FCTL3=FWKEY; //解锁FCTL1=FWKEY+ERASE; //段擦除*td=0; //在欲进行操作的段中空写,启动擦除操作FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定 }
//功能：FLASH操作 BYTE数据写入//编程时钟:257KHZ~476KHZvoid flashWriteByte(unsigned char * pdata, unsigned char data){//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗_DINT(); //关闭总中断FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12; //3686400/300K=12FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;*pdata = data;FCTL3 = FWKEY+LOCK; ////开通看门狗_EINT(); //开放中断}
void flashWriteWord(unsigned short * pdata, unsigned short data){//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗_DINT(); //关闭总中断FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12;FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;*pdata = data;FCTL3 = FWKEY+LOCK; ////开通看门狗_EINT(); //开放中断}
Xiaodong LI：
回复 yangfeng he:
flash 的msp430，在使用（写，擦除）information memory 是程序需要运行在RAM中，因为所有的片上flash 公用一个charge pump。
FRAM的msp430，由于FRAM在读写上的独特优势，操作information memory 程序不需要运行在RAM中灰小子：
回复 yangfeng he:
楼主用的也是msp430fxx系列，这种方法可以用在msp430f425的
Wei.Jetim Zhao：
回复 arm999:
谢谢分享，MSP430铁电系列 MSP430FRxxxx片上存储全部为非易失性FRAM铁电存储，轻松解决掉电保护的问题。
Xiaodong LI：
回复 Wei.Jetim Zhao:
请在TI.COM上搜索Compute Through Power Loss。这是一个很好的解决方案把FRAM作为EEPROM甚至SRAM使用
user4937994：
回复 Xiaodong LI:
你好，我现在调试的是MSP430i2041，编译器是IAR，现在需要用info memory保存掉电数据，上电后读出来。IAR只提供了写进info memory的接口，没有提供读出来的接口，根据我在网上找的资料，读info memory的数据是直接操作就可以了。请问有读info memory的例程吗？
//下面是代码，代码是在FLASHCTL这个demo的基础上小改
#include "driverlib.h"
// Address of the beginning of the Flash Information Segment#define SEGSTART 0x1060// Number of bytes within segment to write#define SEG_LEN 16
// Value to write to segmentconst uint32_t Value = 0xBEEFDEAD;uint8_t r_value[4]={0};uint8_t r_value1=0;
void write_InfoSeg(uint32_t value);void FlashRead(uint8_t *pc_byte,uint8_t *Dataout,uint8_t count);
void main(void) { // Pointer to beginning of Flash segment uint32_t *flashPtr = (uint32_t *)SEGSTART;
// Stop WDT WDT_hold(WDT_BASE);
// Setting the DCO to use the internal resistor. DCO will be at 16.384MHz CS_setupDCO(CS_INTERNAL_RESISTOR);
// Setting MCLK to DCO / 1. MCLK = 16.384MHz. CS_initClockSignal(CS_MCLK, CS_CLOCK_DIVIDER_1);
// MCLK for Flash Timing Generator // Flash clock will run at ~390kHz. Datasheet recommends 257kHz – 476kHz FlashCtl_setupClock(390095, 16384000, FLASHCTL_MCLK);
FlashCtl_unlockInfo(); FlashCtl_fillMemory32(Value, flashPtr, SEG_LEN / 4); FlashCtl_lockInfo();
while(1) { // Set breakpoint to view memory //__no_operation(); FlashRead((uint8_t *)SEGSTART,r_value,SEG_LEN / 4); r_value1=r_value[0]; //r_value1仿真一直是0 }}
//从 info memory读一个byte接口
void FlashRead(uint8_t *pc_byte,uint8_t *Dataout,uint8_t count){
while(count–)
{
*Dataout = *pc_byte;
Dataout++;
pc_byte++;
}
}
Wei.Jetim Zhao：
回复 user4937994:
直接读相应地址的值就行了，还需要示例吗？官方没有专门的示例。
user4637920：
非常好的分享。可以利用未使用的这段空间存储掉电不丢失的信息，不用加一片E2PROM，成本降低、减少空间占用。
