TI中文支持网Part Number:DRV8245S-Q1LEVM
关于drv8245驱动器全桥模式输出功率异常的问题（已加装散热器）：
测试方案一：
我们测试发现当初始VM电压给定24V-6A时，负载功率120W, 逐步调整PWM占空比处于30%-70%时，驱动芯片快速升温到阈值此时故障码显示过温，驱动芯片复位输出为0, 当占空比大于70%以后温度又恢复正常，无故障出现
测试方案二：
如果初始VM电压设置为12V ，占空比初始为99%，然后逐步提升VM电压到24V，功率到达120W时，驱动芯片温度都没有超过60°，无故障出现且工作正常
问题：通常实际应用都是采用方案一对芯片进行控制，方案一测试时发生的过温是什么原因引起呢
Molun：
经过后续实验分析，DRV8245SQ1 H桥输出具有可配置的压摆率，驱动器如果设置为全桥双向驱动电机模式，高侧再循环压摆率使用默认值SRHSOFF则会在较高的PWM频率和VM电压下导致过温故障尤其是占空比接近50%时，具体原因根据数据手册分析应该是SRHson和SRLson时间出现交叉导致高低侧MOS同时导通引发的大电流温饱故障。
DRV8245SQ1压摆率参数则需要根据VM电压、PWM频率、可调节最小占空比，驱动模式&输出负载特性等设计进行配置，压摆率的大小会影响H桥的瞬态特性和响应速度。
举例：如果设计VM电压=24V、全桥双向驱动、PWM频率=20KHZ、周期=50us、最小占空比为1%可调节则OUT2输出端电压需要在0.5us内从 1/10VM电压上升到 9/10VM电压，此时压摆率应该配置为50V/us，当然较高的压摆率也会增加功耗和器件损耗。
