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TXB0108: A侧IO被异常拉低问题请教

Part Number:TXB0108

Hi TI同事:

请教下,

问题:测试发现B侧IO的上拉电阻值改变会影响到A侧IO的电平状态,导致B侧IO电平无法跳变。(A侧IO接MCU配置为输入上拉1.8V)

使用场景:B侧6个IO有上拉电阻到VDD_5V_SYS,并通过J21到按键;A侧IO接MCU,配置为输入上拉1.8V并捕获按键的低电平。

上电时序:VCCB(VDD_5V_SYS)先上电,VCCA(VDD_1V8_SYS)后上电。

测试1:移除TXB0108,单独测量A侧6个IO,均为1.8V高电平,未发现MCU有拉低IO动作。

             焊上TXB0108,R50-R63为100K时,VCCA上电,B侧IO会输出0.15V左右电平(像是A侧IO被拉低,导致B侧VOL为0.15V)

测试2:在问题1基础上,修改B侧上拉电阻为50K,VCCA上电,B侧IO会输出0.35V左右电平(像是A侧IO被拉低,导致B侧VOL为0.35V)

测试3:在问题1基础上,修改B侧上拉电阻为10K,VCCA上电,B侧IO会输出1.5V左右电平(像是A侧IO被拉低,导致B侧VOL为1.5V)

测试4:在问题1基础上,修改B侧上拉电阻为1K,VCCA上电,B侧IO会输出正常5V左右电平(B侧IO 1K上拉好像不会对A侧IO产生影响)

SCH如下:

还请帮忙看看上述现象的大概的原因,或是设计哪里有问题,谢谢!

Alice:

您好,

      对于TXB系列芯片不建议增加外部上下拉电阻。

      如果是开漏信号,请使用TXS系列。

      

,

wei dacheng:

Hi  Alice

您好!

了解,我的应用GPIO,是A侧IO监测B侧IO输入,非OD信号。如果外接上拉,我看TXB规格书建议50K以上阻值,这确实和我测得得VOH/VOL相符。

但是我还是想知道,为什么上拉电阻值改变会对A侧IO的状态有影响?现象如问题描述,能否帮忙再分析下,多谢!

,

Alice:

您好,

      这和芯片的内部结构有关,很抱歉无法提供更多信息,您可参考 “8.2 功能方框图” 自行研究。

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