LM74700-Q1: LM74700-Q1的驱动能力

如上，理想二极管驱动芯片LM74700-Q1的典型应用图，带负载的能力由外置的MOS决定，但是该MOS是否能驱动大电流呢？

比如说我选了个N-MOS：BUK7J1R0-40H，参数如下图所示。是否这个电路就可以带50A的负载呢？

按照正常的工作逻辑，LM74700-Q1工作时，是外部的体二极管先导通，然后MOS管才通道，那么MOS管导通稍微慢一点，是没有很大的影响的。

虽然LM74700-Q1对外置N-MOS的驱动能力很弱，但是这种应用不属于PWM型，属于开关型，就是上电的时候打开，下电的时候关断，不会频繁开关。那么N-MOS开通时间长一点，似乎没什么影响。

不知道我以上的理解对不对？

那为什么有的人说，用LM74700-Q1做驱动时，不适合带大电流的负载？

user4606857：

就是说MOS是可以带50A负载，但是MOS带50A负载时，LM74700-Q1能否驱动MOS？

LM74700-Q1的驱动能力是11mA，N-MOS的Qgd为17nc，那么开通时间=Q/i=17nc/11mA=1us

按照这个算法，LM74700-Q1应该是可以驱动这个MOS的，不知道我的理解对不对？