BQ76952: 硬件设计问题

您好，

想咨询下：

1.全分口时，芯片是否具有充电器防反接功能；是否会打坏充电器？
​2.在设计外部均衡时发现，内部集成MOS的RDSon为25R，而线上Rn电阻取值最大为100R，均衡开启时导致内部MOS发热严重，在不限制同时均衡数量的情况下，请问是否有解决办法；

Links：

1：它没有针对反向电池的保护，没有针对反向电池保护的参考设计，如果超过充电器的工作范围，那就有打坏的可能。

2：建议如下

优化电路设计： 可以通过重新设计电路板布局，降低线上Rn电阻的取值，从而减小整个回路的电阻值，降低发热量。同时，也可以考虑增加散热措施，如加入散热器或风扇等，以提高散热效率。

调整均衡策略： 如果不限制同时均衡的数量，那么可以考虑调整均衡策略，如降低均衡电流、增加均衡时间间隔等，以减小MOS管的发热量。

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