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INA293: us级高侧电流采样

Part Number:INA293

我在应用INA293作为高侧采样测量MOSFET转移特性时;我的电路比较简单,VDD接采样电阻,采样电阻接MOSFET漏极,MOSFET源级接地,栅极输入三角波信号。

1.INA293在正向扫描时,测量的电流值会有一段突变的过程(见图1)而反向扫描没有,是否是由于在MOSFET未开启时,VSENSE=0V,器件处于饱和区时,从饱和区到线性区的恢复过程?

2.在输入为10us的三角波时,VSENSE=77mV,采样电阻阻值为0.5欧姆,INA293选用增益为200,输出为1.4V。根据INA293算出来的电流为14mA,与根据采样电阻上的压降计算不符合,见图2,且输出的波形也有较大变化,这是什么情况?

兔撵狗子:

图1中电流反映出MOS工作在截止区-线性区交替过程,并未到达饱和区。突变应指的是由截止区至线性区,ID快速增加过程。

截止区至线性区转换过程,伴随亚阈值区的出现,ID呈指数变化趋势。

,

? ?:

这里说的饱和区是电流采样IC的饱和区,即VSENSE=0V时。

,

兔撵狗子:

抱歉,是我理解错误

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