INA228-Q1: 防反接设计

HI ALL

    想请教一个在应用时的问题，我们正在使用INA228产品做一些简易电池检测的应用，由于INA228自身没有防反接设计，我们尝试通过NMOS控制地的通断来实现防反接。但在实际设计中，我们注意到，仅仅将地进行分割是不够的，I2C及VS上也必须通过二极管或体二极管进行隔离。我们理解也可以测到MCU内部的Zener管路径，但不太明白INA228中为什么会有I2C或者VS正向对地的路径。

    我们使用万用表二极管档位直接对INA228的I2C和GND之间进行测试，INA228_GND->I2C有一个二极管的压降，这是正常的。反向并没有测到任何压降，但是在连接MCU后，两个地之间便存在1.2V的压降（MCU_GND->INA228_GND）。我们断开了其他所有路径，这个现象仍然存在，结合二极管隔离后的作用，我们推断这个路径来自INA228，但不太理解这其中的原因。

    希望能得到你们的解答，感谢！

Kailyn Chen：

您好，您的意思是，目前INA228和MCU只是i 2C 通过NMOS连接，测试得到MCU的GND和INA228的地有1.2V压差是吗？

MCU和INA228是在同一个PCB board上吗？ 另外，MCU的I2C和INA228的I2C上拉电压是相同的吗?

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guo puzhe：

不通过NMOS连接时有压降，通过时NMOS体二极管就挡住了路径，可以实现反接保护；

MCU和228在同一个PCB上，用了相同的上拉。

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Kailyn Chen：

guo puzhe 说：我们断开了其他所有路径，这个现象仍然存在，结合二极管隔离后的作用，我们推断这个路径来自INA228

您断开了所有路径指的是INA228和MCU的连接是吗？我可能没 明白您的意思，可是单看INA228的电路，其中一个就是MCU的GND，一个为INA228的GND，所以我想压差是不是来自这里。

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guo puzhe：

我指的是MCUGND->228GND，在MOS断开的情况下，这个方向应该没有压降；228GND->MCUGND是会有体二极管的压降的。

再解释一下，现在的状态是：MCU与228 I2C直连，228接地断开是一块孤铜，此时能在MCUGND->228GND之间测到压降，这里的路径只有MCU->i2c->228GND，我们疑惑的点是为什么i2c->228GND会有正向的压降，看起来这个方向也不应该是内部的稳压管。

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Kailyn Chen：

guo puzhe 说：我们疑惑的点是为什么i2c->228GND会有正向的压降，看起来这个方向也不应该是内部的稳压管。

首先排除内部没有二极管，那从另外方面分析一下，I2C 是开漏输出，需要上拉，下方NMOS off是输出为高电平，NMOS闭合时为低电平。

那目前测试I2C对地有压降 ，也就是说当输出为低时，下方的NMOS没有完全导通，或者说没有被完全拉下来导致有压降。