TI中文支持网Part Number:TMS320C6678
您好，以前我们用的C6713, 代码是跑在片上的SDRAM上，虽然主频不高，但是整个速率还是可以的，我刚才看了下C6678和C6671,它们好像代码跑在外挂的DDR3上，有没有其他型号，可以让代码跑在sdram上的？谢谢
Gary Lu：
Feng Dong 说：我刚才看了下C6678和C6671,它们好像代码跑在外挂的DDR3上
因为DDR3内存相对于片上SDRAM来说，具有更大的容量和更高的带宽
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Feng Dong：
Hi @ Gary Lu 我理解错了吗？代码跑在芯片内部(也就是片上RAM)，应该具有更高的带宽吧？也就是速度更快吧？
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Gary Lu：
您的理解是正确的，谢谢您的纠正。将代码运行在芯片内部的片上RAM（SRAM）上可以获得更高的访问速度和更低的访问延迟，SRAM具有较快的存取速度和无需刷新的特性。与外部DDR3等内存相比，片上RAM的访问速度更快。
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Feng Dong：
那么单核的话，C6671能让程序运行在片上RAM吗？如果不能的话，有哪颗可以？同时还要求主频尽可能的高，谢谢
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Gary Lu：
C6671 并没有片上RAM可供代码运行
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Feng Dong：
L2 cash 应该是吧？F28335好像程序是跑在片上RAM，对吗？我描述清楚点，比如F28335，内部有flash,代码是烧写在内部的，运行的时候，是将代码从flash拷贝到RAM中运行，这样子相对将代码拷贝到外部的DDR3，运行速度肯定是快很多，那么 C6671，我知道内部没有flash,需要外挂，那么它的代码是烧写到外部flash,运行的时候，是将代码复制到片内ram还是片外ddr3上内？像前面说的，两个地方运行，速度相差好多，另外是片上ram是否够？
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Gary Lu：
对于 F28335，您描述得很正确。通常情况下，F28335 的代码是存储在内部 Flash 存储器中，而在运行时会将代码从 Flash 拷贝到片上的 RAM 中运行。这样可以获得更快的执行速度，因为 RAM 的访问速度比 Flash 更快。
对于 C6671，代码存储在外部的 Flash 存储器中。在运行时，可以选择将代码加载到片上的 L2 缓存中运行，也可以将代码加载到片外的 DDR3 存储器中运行。并且可以通过使用 ECC来提高外部 DDR3 存储器的可靠性。
加载到片上的 L2 缓存中可以提高执行速度，但需要确保片上的 RAM 大小足够容纳整个程序的数据
