TI中文支持网Part Number:SN74LVC2G17-Q1Other Parts Discussed in Thread:SN74LVC2G17
请问这个IOL是什么意思呢，譬如这个buffer芯片输出接的上拉电阻到1.8V，假如需要buffer的输出电压表现为0.1V，那么这个上拉电阻阻值需要>(1.8V-0.1V)/0.1mA=17k 嘛？谢谢
Amy Luo：
您好，
是这样理解的。
SN74LVC2G17有最大输出输入电流要求，如下截图在不同供电电压下的最大输出输入电流值：
上面您给出的截图VOL参数它其实要表达的是在输出可以输出/输入的最大电流时，SN74LVC2G17的输出电压，因为SN74LVC2G17内部有上下开关管，如下截图中的QP和QN，其内部上下开关管在导通时会有导通电阻，流经的电流在此导通电阻上会产生压降，也就是说电流越大，这个压降越大。当输出低电平时，是输入电流，那么就会在下管QN产生压降，电流越大，压降越大，输出电压VOL就越大。输出高电平时同理，输出电流越大，压降越大，输出电压越小。
在输出低电平时有灌电流，那么这个灌电流需要小于我上面截图中参数。您选择灌电流0.1mA，也是可以的满足上面最大参数，且灌电流越小，输出的VOL越小。
希望以上解释清楚您的疑问。
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ZIYANG LAI：
Amy 姐姐，
我以我们实际应用再请教一下：假设NMOS的Vth=1.7V,那么我如果想NMOS能完全打开，那么SN74LVC2G17QDCKRQ1输出的VOL要小于0.1V，那么此时R1的电阻阻值是不是需要大于（1.8-0.1V）/ 0.1mA=17K？0.1mA对应SN74LVC2G17QDCKRQ1输出VOL最大0.1V时的电流。
此时NMOS导通，3.3V电压又会通过R2（假设R2的电阻较小）——>NMOS，与1.8V——R1的电流之和灌到SN74LVC2G17QDCKRQ1里，此时电流就大于0.1mA了，那会不会导致VOL超过0.1V，从而VGS《VTH，NMOS又不导通呢？
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Amy Luo：
ZIYANG LAI 说：假设NMOS的Vth=1.7V,那么我如果想NMOS能完全打开，那么SN74LVC2G17QDCKRQ1输出的VOL要小于0.1V，那么此时R1的电阻阻值是不是需要大于（1.8-0.1V）/ 0.1mA=17K？0.1mA对应SN74LVC2G17QDCKRQ1输出VOL最大0.1V时的电流。
是的，是这样理解的。
ZIYANG LAI 说：此时NMOS导通，3.3V电压又会通过R2（假设R2的电阻较小）——>NMOS，与1.8V——R1的电流之和灌到SN74LVC2G17QDCKRQ1里，此时电流就大于0.1mA了，那会不会导致VOL超过0.1V，从而VGS《VTH，NMOS又不导通呢？
需要说明的是这个0.1V的VOL是在此测试条件下的最大电压，它是满足所有器件的指标，因此有些器件的这个VOL会小于0.1V，所以严谨的说，您这个情况可能会导致NMOS又不导通。如果R2足够小，那么就会导致NMOS又不导通。
