TI中文支持网Part Number:LM5116
LM5116用的高低两个MOS管，我可以高侧用2个同样的MOS管并联，底侧也用同样的2个并联吗？请问这样可以减少MOS管的发热吗？如果并联会比单个使用有优势吗？如果可以，并联使用需要注意什么问题？谢谢！期待您的回复！
Johnsin Tao：
Hi
可以用2个MOS并联但是并不建议。（我这边极少有看到并联MOS的同步buck芯片，同时因为layout，以及MOS差异的原因会导致实现难度加大，甚至损坏）
一般可以通过额外Vccx供电, 降低芯片工作频率（推荐200kHz左右甚至更低），以及选择更低Qg的MOS, 都是可以有效降低芯片功耗的，从而降低芯片温度。
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谢谢您的回复，如果要减少MOS的发热，除了降低频率，选择更低Qg的MOS外还有其他方法吗？MOS的Rds影响发热吗？请问您知道的有超过175度合适的MOS管选择吗？
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Johnsin Tao：
Hi
频率如果改变加大，功率电感，输出电容，补偿理论上都是需要重新计算的，你可以借助芯片官网的在线仿真webench确认一下电路。
另外你要注意PCB layout, 芯片Powerpad需要充分GND焊接，并充分扩大ＧＮＤ面积用于散热，如果是四层板要借助芯片中间层ＧＮＤ散热。ＭＯＳ也一样，需要用同样的方式散热，同时注意选择尽量小Rdson的ＭＯＳ.
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非常感谢您的回复！
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Johnsin Tao：
Ｈｉ
不客气。
