MSPM0L1306: 在中断里对flash进行操作后，全局变量的值被修改

在MSPM0L1306上，我想要实现GPIO中断触发flash写入操作。

当中断触发时，将一个长度为16的char型数组writeStr（这是一个全局变量）存入flash地址0x00008000中。但是很奇怪的是，我的这段代码在运行完DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);后，writeStr数组的值被修改。

我尝试了一些方法，有一些确实能够解决问题。比如：

1、把flash操作放在main函数里而不是中断里；

2、将其他.c文件中的全局变量改为局部变量，以改变writeStr的地址；

3、在声明writeStr时对其填入有效数据，这样也能改变writeStr的地址。

虽然上述方法能够帮我解决问题，但我还是很好奇究竟是什么导致flash在操作的时候，全局变量的值会被覆盖修改。

我在keil软件里对代码进行了单步调试，并将writeStr添加到了Watch中，可以看到地址为0x200000D4。

在Memory中查看0x200000D4地址存放的数据，可以看到有三个字节数据，这是我通过键盘外设输入的值。

当程序进入GROUP1_IRQHandler，运行完DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, MAIN_BASE_ADDRESS, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);后

会发现Memory中0x200000D4存放的数据被修改

当设置writeStr值被修改就触发断点后，可以看到上面Disassembly窗口代码停在了下图，此时Memory中可以观察到相应的值也发生了变化。

以上是我调试发现的现象，希望有人能为我指点迷津。

Ben Qin：

你好，为了更好的解决您的问题，我需要咨询下相关资深工程师，一旦得到回复会立即回复您。

,

Ben Qin：

你好，这看起来像编译器的问题，这边在CCS v12.5 上测试了一下没有发现您的问题，您使用的是什么编译器？能否提供下您的代码？或者您是否能在CCS12.5或12.6上测试一下?

,

JAS Zhou：

谢谢您的回复！！我使用的是keil 5.39 + mspm0_sdk_1_20_01_06，工程文件我会上传。看您测试的时候是将DL_FlashCTL_unprotectSector放在了main函数里执行，在我这里也是没问题的，放在main函数确实没有我说的那些问题。我的问题主要是在响应中断后，在中断函数里对flash进行操作有可能会覆盖掉全局变量原有的值，这个bug我们这里很多人有遇到，而且并没有一个从根源解决的方法，因为我们也不知道问题究竟出现在哪。FLASH_WRITE_READ_TIMER.zip

,

Ben Qin：

有没有尝试过增加程序堆栈的大小？

,

JAS Zhou：

确实有可能是这个问题。MSPM0我刚接触不久，想请教一下在keil开发环境下，程序堆栈大小要在哪里进行配置呢？是sysconfig工具吗？

,

Ben Qin：

参考下这个页面：

适用于 MSPM0 MCU 的 Arm Keil MDK IDE 5.38+ 版 — Arm Keil MDK IDE for MSPM0 MCUs Documentation 1.0 documentation

,

JAS Zhou：

非常感谢！明天我尝试一下。

,

Ben Qin：

好的 不客气

,

JAS Zhou：

太感谢了！我将Stack_Size从0x00000100设置为0x00000400后，就没有问题了。