TI中文支持网Part Number:CC1310
各位好，目前在调试CC1310程序时，有时候会出现dionumberlegal中返回0的情况，查看下来发现iocount的值为0，iocount是从FCFG1中的IOCONF的低8bits获取的，查看是0x1E，是什么原因会导致这个读取出错呢，有人遇到过这个问题吗
Yolande Wang：
您好，已经知悉您的问题，我们会尽全力来协助您。
1. 您可以先查阅 DataSheet 详细了解 FCFG1 寄存器和 IOCONF 字段的配置方式。确保您正确地使用了位偏移和位掩码来读取 iocount 的值。
2. 其次您可以在程序中增加调试输出语句，打印相关的寄存器值和变量，看是否存在与 iocount 相关的异常情况。
3. 您还可以检查芯片与外部电路的连接情况。
尝试以上三种情况如果未能解决您的问题，请您提供一下您正在使用的协议栈版本和相关示例，以供我们更好地快速定位问题。
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jinghua chen：
1、这个函数不是一直有问题的，是偶尔出现这样的概率，因此位偏移和位掩码是没有问题的
2、在debug下，在gpio.c的dionumberlegal函数中，在return dionumber<iocount中加断点，有时候会停在这里，但并不是每次都会
3、正常情况下不会出现，但有时候我会调用模拟i2c去实现一些io口的操作，有时候会进入fault isr，不知道和这有没有关系，目前不知道怎么排查fault isr的进入原因
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Yolande Wang：
已经跟进您的问题，需要一些时间。
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jinghua chen：
目前发现可能是模拟i2c开启另外一个模块时，导致的Vsys电压跌落造成的。Vsys即CC1310的Vdd，该电压由3.54V下降至2.28V，100us左右下降1.26V，300us后恢复，从数据手册上看，允许的最大跌落为20mv/us，应该在范围内，Vdd的电压也在1.8V以上，但低功耗flash情况下允许的最大跌落速率为3mv/us。这个是否会影响FCFG1寄存器的读取？
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Yolande Wang：
您使用的是哪个版本的 SImpleLink CC13x0 SDK？我们过去曾遇到过这样的已知问题，但已于 2018 年修复。
您定义了 DRIVERLIB_DEBUG 吗？
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jinghua chen：
我这边用的sdk是比较老的，具体版本不清楚了，gpio.c的更新时间是2015-01-13 版本号为42365。自定义了一个宏为DRV_LIB_DEBUG_EN，可能是当时改了名字。2018年修复的bug能具体告知一下是哪个errat吗，具体的代码可以贴一下，好让我对比查看一下
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Yolande Wang：
您可以在ccs中右键点击示例->Show Building Settings->Products下，如图所示，查看SDK版本号
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Yolande Wang：
您可以点击此处查看driverlib发行说明：
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Yolande Wang：
您能找到并查看您的 driverlib/gpio.h 版本吗？
对于 CC13x0 器件，合法范围在 dioNumberLegal 中按以下方式返回：
return (( dioNumber > 0 ) && ( dioNumber <= ioCount ));期待您的回复！
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jinghua chen：
查了相关代码和文件，应该与该代码无关。还是和CC1310的电源电压Vsys快速跌落相关，Vsys即CC1310的Vdd，该电压由3.54V下降至2.28V，100us左右下降1.26V，300us后恢复，从数据手册上看，允许的最大跌落为20mv/us，应该在范围内，Vdd的电压也在1.8V以上，但低功耗flash情况下允许的最大跌落速率为3mv/us。这个是否会影响FCFG1寄存器的读取？
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Yolande Wang：
正在跟进您的问题，请等候一下。
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Yolande Wang：
您好，
E2E给出的建议是：
您能否使用稳定的电源进行测试并验证问题是否仍然存在？
期待您的回复。
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jinghua chen：
稳定电源下程序运行是没有问题的。但想了解目前的vsys的跌落情况在datasheet内，是否在允许的跌落的范围内，部分外设可能会存在不正常的情况
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Yolande Wang：
收到您的最新需求，已经帮您同步到英文论坛，有消息会立即回复您。
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Yolande Wang：
默认情况下，设备在低功耗闪存模式下运行，因为使用高功耗闪存模式时电流消耗会增加。
如数据表中所述，电源电压的最大下降速率为 3 mV/us。电路板上的电源电压远高于此速率。因此，无法正确读取FLASH。
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jinghua chen：
低功耗的闪存模式是怎么配置的，我查看核对一下程序是否存于低功耗闪存模式
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Yolande Wang：
您好，
已经跟进您的问题，请稍等一下，有进展会立即回复您。
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Yolande Wang：
当您使用我们的 SDK 或 SmartRF Studio 时，设备默认配置为低功耗模式。
我核实如何检查设备正在使用哪种模式，请等候一下。
您可以尝试在硬件层面解决这个问题。
电源电压下降 1.26V 是相当大的。
我的建议是尝试找到电压下降的根源并防止其发生，尝试在 SW 中解决它会比较困难。
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jinghua chen：
对于未生产的设备，我们肯定会采用硬件的解决方式，避免电源电压下降；
但针对已生产的设备，由于不能进行拆机维修，所以期望如果能有软件解决的方式的话，会临时使用一下，希望您这边能给出一下检查方法和修改方式，非常感谢。
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Yolande Wang：
明白，我已将您的需求反馈给E2E，应该明天会给出答复。
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Yolande Wang：
您好，
以下是来自E2E的回复：
我还在研究如何启用高功率闪存模式。截至目前，我们认为通过在 FLASH:FSEQPMP: VIN_BY_PASS (0x4003 20A8 [8]) 处写入 0x1 并在 FLASH:FSEQPMP:VIN_AT_X 0x4003 20A8 [14:12] 处设置 0x0 来启用高功耗模式。
我必须对此进行测试，并在周三之前回复您。您也可以在您这边测试一下，看看是否有帮助？您可能需要先在 FLASH:FLOCK 0x4003 2064 处写入 0xAAAA，然后才能写入寄存器 FLASH:FSEQPMP
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Yolande Wang：
收到来自E2E工程师测试后的回复：
我现在已经测试了上述设置。这是启用高功率闪光模式的方法。在写入 FLASH:FSEQPMP 寄存器之前，必须存储 FLASH:FLOCK 的值并将 0xAAAA 写入 FLASH:FLOCK 寄存器。当您写入 FLASH:FSEQPMP 后，您必须将 FLASH:FLOCK 寄存器重写为其默认值。请注意，此模式会增加电流消耗。
另外，如果使用NVS_write 函数，FLASH:FSEQPAMP 寄存器将恢复为默认值。这意味着设备将返回低功耗闪存模式。
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jinghua chen：
收到配置信息，谢谢。
我们这边准备在开启额外的电路前开启高功率闪光模式，等电路稳定后，再关闭高功率闪光模式。
这样的处理措施可行吗？想了解一下，开启高功率闪光模式后，多久硬件才会生效，允许20mV/us的下降速率
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Yolande Wang：
您好，
可以将模式更改回低功耗模式。只需将 0x7 写入 FLASH:FSEQPMP:VIN_AT_X 并将 0x0 写入 FLASH:FSEQPMP:VIN_BY_PASS 即可返回默认模式。
我 不确定此切换的时间，但应该不会花费太多时间。
您可以对此进行评估一下。
