MSP430I2031: MSP430I2031flash存储异常

你好，我们公司准备使用MSP430I2031芯片设计一款产品，需要使用到芯片的flash功能，我调试官方样例代码时发现，flash第一次存储时存储数据正常，如下图：

第2次存储flash就会出现问题，存储数据异常，如下图：

第3次也一样，如下图：

这是官方的样例代码，并未进行修改，请问这是什么问题，怎么解决呢？谢谢！

Yale Li：

根据现象，我推测是写FLASH之前没有清FLASH导致的。

由于FLASH的特性，清FLASH实际上是由0置1的过程，写是由1置0；

原始数据是0xA5，二进制即0b0101(A不变所以不看)，第二次是0xA6，即0b0110，最低位的1可以被写0，但第二位的0不能被写1，所以变为0b0100，即0xA4；

第三次是0xA3(0b0011)，第三位的1可以被写0，但所有0均不能被清为1，所以结果为0b0000(0xA0)。

建议从这个角度看一下代码

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Jason Chen：

好的 谢谢

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Yale Li：

客气了

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Jason Chen：

你好 ，我试了写之前先擦除flash，存储是正常了 可是设备断电再上电就不能正常运行了，仿真时，一直卡在这里：

应该是缺失什么东西了，是擦除flash出问题了吗？

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Yale Li：

Jason Chen 说：

方便指一下具体是哪个文件的哪一行吗？

以及使用的例程是哪一个？方便的话提供一下路径。

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Jason Chen：

官方样例代码里的文件 使用的是官方flash的样例代码  添加的擦除flash的操作 

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Yale Li：

C:\ti\msp\MSP430Ware_3_80_14_01\examples\devices\MSP430i2xx\MSP430i20xx_Code_Examples\C\msp430i20xx_flashwrite_01

擦除的具体是哪个地址？有可能是把参考电压的校准值擦除了：

https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/msp430i2031.pdf