TI中文支持网Part Number:LAUNCHXL-CC26X2R1
我申请了两页FLASH，如果存满了FLaSH会怎么处理？
Galaxy Yue：
您好，
如果flash存满了就会出现无法写入数据，需要您进行擦除的情况。
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疾风亦有归途：
是通过osal_snv_write去写FLASH的
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Galaxy Yue：
您好，不太明确您的意思。可以描述的更具体一些吗？
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疾风亦有归途：
抱歉我可能表达方式有问题，NV规划如下：（16K）
因为只有osal_snv_write/read ，并未提供类似CLear flash接口，所以当经常osal_snv_write数据且flash大小有限，OSAL_snv如何管理Flash?
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Galaxy Yue：
您好，
您可以尝试一下使用osal_snv_write函数将不需要的NV项的值写入为默认值或者擦除值或无效值。
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疾风亦有归途：
闪光灯 — 简单链接
CC13x2 / CC26x2 SDK BLE5 堆栈用户指南 2.01.01.00 文档 (ti.com)
哥，看下这个
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Galaxy Yue：
您好，
已经查阅，因为OSAL SNV操作中本可以正常 写入的话，那这个函数本身使用就没有问题的。
那您问的是如果BLE stack申请了两页FLASH，OSAL_snv如何减少或者抹去Flash吗？
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疾风亦有归途：
我想了解TI对Flash管理机制,我们的产品OSAL_snv用于存储密钥，如BLE_NVID_CUST_START这个index存入5字节密钥，当密钥失效时，BLE_NVID_CUST_START这个index存入5字节0x00,然后发现flash中数据是续写并没有擦除之前的数据（如图），因此我推测TI采用倒序读取数据，以同样索引的最后一个为准，这样可以避免Flash频繁擦写，所以我的疑虑是担心某一次密钥更新，刚好flash已经满了，然后TI的管理机制会让密钥失效。
注：我们是10把密钥。一把是主密钥写入后不会更新，其余9把可能一周更新一次
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Galaxy Yue：
您好，您的问题已经帮您升级。
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Galaxy Yue：
您好，请参阅此处提供的文档
https://software-dl.ti.com/simplelink/esd/simplelink_cc13xx_cc26xx_sdk/7.10.00.98/exports/docs/ble5stack/ble_user_guide/html/ble-stack-5.x/gapbondmngr-cc13xx_cc26xx.html#gapbondmgr-and-snv
另外，请记住，器件将最大限度地减少闪存页擦除周期，因为它会消耗功率并影响器件的使用寿命（闪存擦除周期实际上是有限的，并在该部件的数据表中提到）。 因此，TI 驱动程序使用闪存 ID 的策略。 当变量值更新时，Flash ID 指向的物理地址会发生变化（但旧值不会被覆盖）。
希望能对您有所帮助
