TI中文支持网Part Number:SN74LVC1G125-Q1
In our design, we have the input of 1P1G125QDCKRQ1 ramping up earlier than it's supply voltage, will this cause chip damage or abnormal performance？
I also captured oscillating output of this chip while the input kept high, is this phenomena caused by chip damage?
Amy Luo：
您好，
lelian cao said:In our design, we have the input of 1P1G125QDCKRQ1 ramping up earlier than it's supply voltage, will this cause chip damage or abnormal performance？
SN74LVC1G125-Q1支持的推荐输入电压范围到5.5V，因此输入电压大于供电电压是没有问题的。
lelian cao said:
I also captured oscillating output of this chip while the input kept high, is this phenomena caused by chip damage?
SN74LVC1G125-Q1是CMOS输入，如下截图所示CMOS输入结构，当输入沿比较缓慢时，图中的输入端的两个MOSFET有可能会同时导通，这会产生较大的直通电流，若长时间处于这种状态，有可能会烧毁设备。也可能会上下管来回切换导通，这样输出会在低和高状态之间不可控制地振荡。因此，对于这种CMOS器件，数据表定义了防止发生这种情况的最小输入变化速率Δt/Δv ，SN74LVC1G125-Q1的如下截图所示。
您所附输出波形振荡很可能是由于输入信号沿太缓慢造成的，因此建议您检查输入信号的斜率是否满足datasheet 要求。
更多相关信息见应用手册：
Implications of Slow or Floating CMOS Inputs (Rev. E)
