TI中文支持网运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
烦请有相关经验的同事不吝赐教，谢谢！
user5356088：补充，上述系统中主控芯片都采用的是30MHz外部晶振，C核配置都采用的是2分频、10倍频的模式。
运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
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Green Deng：烧写肯定需要和芯片的主频保持一致。这里OSCCLK是指晶振频率，烧写过程中如果晶振发生问题确实会引起芯片锁死。
截图应该是debug界面，tools – on-chip flash的内容，烧写的时候配置应该是在debug configurations – targets – flash setting中设置对应时钟配置的。
运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
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user5356088：
回复 Green Deng:
感谢您的回复，如您所言，建议烧写频率要和主频保持一致，但是我在实际实施过程中发现，对一个工程中烧写频率由默认频率修改为与主频保持一致后，这个工程不进行改动的情况下，基本上可以维持这种配置状态。但是当对整个工程文件进行压缩后解压、或者整个工程文件复制，其解压后/复制后的工程文件中烧写频率配置就会再次恢复默认的20MHz、2分频、12倍频的状态。这是不是意味着系统认为该芯片（F28M36）推荐采用默认配置。
基于上述工程变动后，配置会恢复为默认配置的状态，具体到后续的烧写设置中，是应该按照系统推荐的默认配置，还是说在后续的烧写中，每次烧写前都要检查相关配置，避免其以默认的频率进行烧写？
期待您的回复，谢谢！
运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
烦请有相关经验的同事不吝赐教，谢谢！
Green Deng：
回复 user5356088:
此“On-Chip Flash”设置窗口仅用于在使用ccs时配置设备进行编程/擦除，实际的f28m36x软件在运行初始化时可能会对设备的时钟进行不同的配置，因此不必担心这些设置的不同。
运行环节为CCS6.1，用F28335进行烧写时，观察On-Chip Flash界面，默认的频率设置为30MHz，10倍频，2分频，即烧写阶段频率为150MHz，与该芯片的运行主频率相同。
在F28M36烧写设置中，发现On-Chip Flash界面中，默认的M核和C核默认烧写设置频率都为20MHz，2分频，12倍频，即烧写阶段频率为120MHz。
当前芯片内部采用的运行主频为M核75MHz、C核150MHz。
这里的问题是：
1、烧写阶段的频率是否需要和芯片设置的运行主频率保持一致。如果不保持一致，是否会有其他影响。（之前遇到过概率性的C核烧写锁死的问题，原来怀疑电源，更换电源后再次概率性出现，烧写频率与芯片设置运行频率不一致是否存在概率性的引起芯片锁死的可能）
2、后续的烧写设置中，该双核芯片是采用默认的20MHz，2分频，12倍频（对应120MHz）的配置，是采用默认配置，还是M核和C核分别设置为各自的主运行频率，推荐采用哪种方案。
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user5356088：
回复 Green Deng:
感谢您的回复，烧写时的频率配置我在“debug configurations – targets – flash setting”窗口和“On-Chip Flash”设置窗口都试过，表现都是一样的，即压缩/解压/复制工程文件，会恢复为默认的烧写频率。其实问题之初就是在纠结烧写频率要不要和系统主频设置一致，因为您前面建议“烧写频率要和主控芯片的主频保持一致”，这与后来的“不必担心这些设置不同”是不是存在冲突。
具体到执行层面，后续是不是不需要再特意将烧写阶段频率设为与主频相同，采用默认频率即可？
期待您的回复，谢谢！
