TI中文支持网Part Number:LSF0102-Q1
Hi，E2E
请教个问题，看了TI关于LSF系列芯片介绍的视频，网址如下，Understanding the LSF family of bidirectional, multi-voltage level translators | TI.com
视频中有个问题不太理解，如下截图，200K电阻会形成一个限流，然后强制形成一个FET的阈值电压，想问一下，这个是怎么形成的呀
Amy Luo：
您好，
在EN为高电平的时候，FET是导通的，FET就会有导通电阻Ron，那么从VCCB到VCCA就会有电流流过，流过的电流 I 就是(VCCB-VCCA)/(200k+Ron)，在Ron上产生的压降就是FET的阈值电压。因为FET的导通电阻Ron很小，所以需要串联200k电阻以限流VCCB到VCCA的电流。
不知道以上是否解释清楚了您的疑问？
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xianyang yu：
还想请教一下，芯片内部的MOS都是一样的，对吧，还有就是这个阈值电压会随着外部200K电阻的变化而变化么
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xianyang yu：
然后关于解释还是不理解，首先芯片内部应该可以等效成一个NMOS，FET的阈值电压应该就是MOS的导通电压吧，应该是Vgs，但是按照您说的，导通电压不应该这么小的，uA级别的电流乘以毫欧级别的电阻，太小了
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Amy Luo：
xianyang yu said:芯片内部的MOS都是一样的，对吧，还有就是这个阈值电压会随着外部200K电阻的变化而变化么
我理解应该是会的，外接电阻值不同，流过FET的电流就不同，那么产生的压降就不同。建议搭建电路时使用datasheet 推荐的200kΩ电阻。
xianyang yu said:首先芯片内部应该可以等效成一个NMOS，FET的阈值电压应该就是MOS的导通电压吧，应该是Vgs，但是按照您说的，导通电压不应该这么小的，uA级别的电流乘以毫欧级别的电阻，太小了
这里是VSD或VDS电压，请细看图中标识Vth的位置。
