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AM625: DDR4 两片 共4GByte模式

Part Number:AM625

工程师您好:

因为找不到单片大于2GByte的DDR4,我们考虑用2片2Gx8bit的DDR4,总共组成4GBbyte的空间。

用sprad06.pdf figure2-2的连接:

DDR手册如附件:

MT40A1G16 16gb_ddr4_sdram.pdf

原理图设计如下:

DDR4.pdf

请帮忙看下这个设计是否有问题?

感谢!

Cherry Zhou:

您好,我们把您的问题升级到英文论坛看下,有答复尽快给您。

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la Ni:

好的,感谢!

请问有进一步的消息吗?

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Cherry Zhou:

您好,

如app note中的图表所示,您这边似乎缺少 VTT 终端。

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la Ni:

感谢回复!

我们看了EVB板的设计(如附件),16bit的DDR,也没有加VTT,似乎与sprad06.pdf中提及的冲突哦,请问要以哪个为准呢?

谢谢!PROC114E3_SCH.pdf

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Cherry Zhou:

EVM 只有一个 DDR4器件,该器件在 addr/Ctrl 信号上仅呈现一个负载。 而您的设计具有2个 x8器件,因此具有两个负载,由于存在多个负载,因此需要 VTT 端接。 我们正在将此详细信息添加到应用手册中。 无 VTT 设计只能与一个 DDR 器件配合使用。 

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la Ni:

感谢,这里非常重要的信息!

如果有设计参考麻烦提供一下!

届时有最新的文档可以发一份我吗?nila101@163.com

谢谢!

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Cherry Zhou:

最新的文档如果发布,您都可以在官网上找到哈。

参考设计的问题我们问下工程师。

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Cherry Zhou:

对于特定的拓扑,我们并没有可参考的设计。 您可以使用本应用手册图2-2中的连接图: 

https://www.ti.com/lit/pdf/sprad06

AM64x EVM https://www.ti.com/tool/TMDS64GPEVM 上有一个将1个 DDR 器件与 VTT 相连的示例。 AM64x 使用与 AM62x 相同的 DDR 控制器和 PHY。

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