TI中文支持网Part Number:LM63
在读取LM63远端三极管的温度时概率会出现读到的温度是127。
量测芯片D+ D-引脚时，发现会有波形突变的情况，当发生波形突变后就会读出异常的+127。
设备关机后再开机后，读取温度恢复正常。
如上图所示，测温异常时，D+ D-波形周期为22ms左右。（黄色波形为D+，红色波形为D-）
关机再开机后测温正常，如上图所示，测温正常时D+ D-波形周期为66ms左右。
硬件链路连接如上图所示。
两个情况的波形幅值不会发生变化，仅周期出现突变。麻烦咨询一下，什么情况会导致这种异常情况出现。
Amy Luo：
您好，
异常时 V63三极管是否受到了干扰？输出异常时，V63三极管的工作环境或PCB附近信号有什么不同吗或有什么变化吗？
异常的概率有多少？是随机的吗？
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Amy Luo：
有没可能与VDD短路？
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Eason：
D+未与VDD短路，波形可以看出，异常前夕D+波形频率会加快，但并不是恒定高电平
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Eason：
设备工作在常温情况下，高亮部分既为lm63与三极管，异常概率很高，有时1h不到会出现，有时可能要1天甚至更久
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Jun：
工作时使用万用表测量D+ D-间阻值，结果均在10k欧左右跳动非恒定值，出现异常时未看到跳变成0欧的情况。
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Amy Luo：
PCB layout 中三极管上方看走的是差分信号，应该是高频信号，异常时这部分电路是否在工作？是否可以禁用这块电路的功能以排除这些差分对信号对LM63及三极管的影响？
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Eason：
上方为PCIE信号，接riser卡，但是并未下挂PCIE设备，既出问题时，这部分电路并未工作
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Amy Luo：
感觉还是被干扰了，看下三极管中PN结的工作原理，被测量温度与ΔVbe是线性关系，其他都是常数，理想因子η对测量温度影响没这么大。
也建议用示波器检查下VDD的供电是否为干净无干扰的，PCB layout 也有需要改进的地方：
1、VDD供电滤波电容需靠近VDD管脚附近，依次为100pF、0.1uF、10uF电容；
2、2.2 nF电容也需尽可能靠近LM63的D+和D−引脚。并确保2.2 nF电容的迹线匹配
3、理想情况下，LM63应放置在二极管引脚的10cm范围内，迹线应尽可能直、短且相同。
4、D+和D−线路应在两侧、上方和下方 用GND保护环围绕。D+和D−线路之间不应有GND，共模干扰没关系，主要是避免差模干扰或不匹配引入的差模干扰。
5、避免将二极管迹线布线在电源开关或滤波电感器附近。
6、避免二极管迹线靠近或平行于高速数字和总线。二极管迹线应与高速数字迹线保持至少2厘米的距离。
7、如果需要交叉高速数字迹线，则二极管迹线和高速数字迹线应以90度角交叉。
8、连接LM63的GND引脚的理想位置尽可能靠近与感测二极管相关的处理器的GND。
9、D+和GND之间的漏电流应保持在最小值。一纳安的泄漏可能导致二极管温度读数出现高达1°C的误差。保持印刷电路板尽可能干净将最大限度地减少泄漏电流。
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Eason：
电源方面我等会去测量下，但PCB方面的整改请问在不改版的情况下有何验证手段吗
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Amy Luo：
您可以将上述两种波形用示波器将D+信号与D-信号做相减运算吗？我想看下它们差分信号的区别，因为LM63测量的是Vbe电压，即D+ 与D-的差分电压。我理解的上面的22ms周期信号或66ms周期信号都是干扰信号，对LM63来说是共模干扰，如果PCB 上 D+ 与D-信号处理的不匹配，共模信号将转化为差分信号，进而影响LM63采集的温度。
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Jun：
我们测试了VDD的纹波噪声以及您说的D+与D-的相减波形，具体如下三图所示：
这是VDD纹波
这是VDD噪声
这是D-减D-的波形
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Amy Luo：
VDD噪声太大了，您是使用的开关电源给LM63供电的吗？如果是这样的话，不建议使用开关电源给模拟器件供电，因为开关电源具有很高的开关频率，会对周围电路造成干扰，且开关电源纹波较大。模拟器件一般建议使用线性电源供电。
这个 D+减D-的波形看周期约是66ms，是测温正常时的波形吗？异常时的波形是怎样的？
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Jun：
嗯嗯，我们是用DCDC给LM63供电，后续尝试优化一下噪声看看。
下图这个是突变时的波形：
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Amy Luo：
Jun 说：嗯嗯，我们是用DCDC给LM63供电，后续尝试优化一下噪声看看。
好的。
我让你测它们的差分波形，我只是不明白为什么正常情况下周期是66ms，因为看datasheet 转换时间是31.25ms，最大值是34.4ms
所以想问一下，Conversion rate您设置的是多少？是16HZ吗？这样周期是62.5ms，与 您所测周期差不多
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Amy Luo：
Conversion rate默认值是0x08，即16HZ，如果您采用的是默认值，那么这个66ms周期的波形就是正常的。
