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DRV8350F: 驱动CSD19532Q5B

Part Number:DRV8350FOther Parts Discussed in Thread:CSD19532Q5B,

请问一下:

DRV8350FH这个款栅极驱动器在驱动CSD19532Q5B组成的三相H桥时,MOSFET的GS之间要不要加一个电容,我看TI的参考设计中有些加了一个2200nF电容,有些没有加。

为什么会出现这个差别,我准备用这个驱动器做一个三相电机驱动器,PWM频率大概在70Khz到20Khz之间,能否推荐一下这个GS电容是加还是不加。谢谢!

user6564803:

描述有点问题,应该是2200pF

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Cherry Zhou:

您好,我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

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Cherry Zhou:

您好,

在 MOSFET 的栅极和源极之间增加一个电容可能有助于提高某些系统的性能,但是运行 DRV8350F时不需要该电容器。

在 MOSFET 的栅极和源极之间增加额外的电容将会降低 MOSFET 的开关速率,通过增加所需的栅极电荷来减少振铃,并且会降低导通 MOSFET 的寄生电容。

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