TI中文支持网Part Number:DRV8350FOther Parts Discussed in Thread:CSD19532Q5B,
请问一下：
DRV8350FH这个款栅极驱动器在驱动CSD19532Q5B组成的三相H桥时，MOSFET的GS之间要不要加一个电容，我看TI的参考设计中有些加了一个2200nF电容，有些没有加。
为什么会出现这个差别，我准备用这个驱动器做一个三相电机驱动器，PWM频率大概在70Khz到20Khz之间，能否推荐一下这个GS电容是加还是不加。谢谢！
user6564803：
描述有点问题，应该是2200pF
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Cherry Zhou：
您好，我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，
在 MOSFET 的栅极和源极之间增加一个电容可能有助于提高某些系统的性能，但是运行 DRV8350F时不需要该电容器。
在 MOSFET 的栅极和源极之间增加额外的电容将会降低 MOSFET 的开关速率，通过增加所需的栅极电荷来减少振铃，并且会降低导通 MOSFET 的寄生电容。
