TI中文支持网Part Number:TXS02612
TXS02612 的VCCB1 port 接到SD Card, 测试过程中发现IO 电压无法达到3.3v，如下图，如何解决这个问题。
PS: VCCB port 到SD CARD 负载之间的SDIO 6根走线都很短。
Jennifer hou：
以下是我测试的一些结论：
1， 在SDIO 的频率降到3M 以下的时候，IO 电平可以达到3.3v， 超过3M 就不行了。
2， 从波形看起来，信号在缓慢上升，上升时间大概是200-300ns，这个时间不随频率的改变而改变。按照200ns-300ns计算，3M 以下的频率是可以爬到3.3v的，看起来这个芯片内部有很大的负载（寄生电容应该很少，因为走线很短很短）
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Amy Luo：
您好，
1、每个通道都是这种现象吗？在都是1.8V电平时，如下截图所示Command信号在OD接口驱动时，所支持的最大频率是2MHZ
2、SD CARD接口的输入电容是多少？上述 TXS02612支持的速率是在15pF容性负载条件下测得的，如果电容负载大于15pF，那么支持的数据速率会更低：
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Jennifer hou：
Many thanks for your reply and support.
1, 每个通道都是这样的现象。 A port 的电压是1.8v，B port的电压是3.3v。 command和data 可以肯定是push pull 的，不是ＯＤ。
2, SD card 的接口的输入电容不能准确确定，这取决与卡的类型，但是我认为是符合SD card 的规范。从波形来看：
ａ） rise time 不随频率的变化，在１０Ｍ和２Ｍ下，测到的上升时间都是２００ｎｓ左右，这也是在２Ｍ下，电压可以达到３.３v的原因。
ｂ） 把波形展开，波形刚开始往上冲，然后跌落，上冲是因为这颗芯片内部的speed加速模块，跌落的原因是内部有很大的负载，芯片的驱动能力不够？
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Amy Luo：
Jennifer hou 说：ａ） rise time 不随频率的变化，在１０Ｍ和２Ｍ下，测到的上升时间都是２００ｎｓ左右，这也是在２Ｍ下，电压可以达到３.３v的原因。
是的，上升时间与频率无关，它与线上的R和C参数相关；看SD卡端有上拉电阻，您可以去掉上拉电阻再测试看输出波形吗？
绿色是什么信号？是SD_CLK信号吗？看着没有RC充电迹象 且SD_CLK没有上拉电阻
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Jennifer hou：
谢谢你的回复！不好意思，我上周休了病假，回复有点晚了。
ＳＤ卡端的上拉电阻没接。从波形来看，电平先冲上去，再跌落，最后是ＲＣ充电，因为电容很小，所以我怀疑芯片内部是不是有很大的电阻？
绿色的是clock 波形。
也不是我一个人碰到这种问题，我看到论坛上很多人都有提到这种类似的问题，这颗芯片是不是有什么地方很敏感？
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Amy Luo：
Jennifer hou 说：从波形来看，电平先冲上去，再跌落，最后是ＲＣ充电，因为电容很小，所以我怀疑芯片内部是不是有很大的电阻？
对于data 和 Command 接口，内部有上拉电阻，如下datasheet截图描述：
Jennifer hou 说：绿色的是clock 波形。
看您的Clock波形没有RC充电迹象，同时clock信号线内部没有上拉电阻，因此很可能是其他信号线上容性负载太大的缘故。我说的信号线上的容性负载包括走线寄生电容、信号接收设备的输入电容，如果有中间有连接器的话，连接器也会引入电容负载。
clock信号线过冲有点明显，建议您串联22Ω或33Ω以减少过冲。
Jennifer hou 说：我看到论坛上很多人都有提到这种类似的问题，这颗芯片是不是有什么地方很敏感？
要说比较敏感的地方也就容性负载这方面，它会影响支持的数据速率和波形的质量。同时TXS 几乎没有驱动能力。
另外，黄色信号对应的输入信号波形是什么样子的？
